[發明專利]陶瓷制造用粉體、陶瓷制造物及其制造方法

有效

• 申請號: 201880048475.4
• 申請日: 2018-07-13
• 公開（公告）號: CN110944814B
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 安居伸浩;藪田久人;大志萬香菜子;齋藤宏;大橋良太;久保田純;上林彰
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: B33Y10/00
• 分類號: B33Y10/00;B33Y70/10;B33Y80/00;B28B1/30;C04B35/01
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 劉強

1.制造用粉體，其用于通過使用激光的照射重復地依次燒結或熔融并凝固粉體而獲得陶瓷制造物，其包含：

金屬氧化物和吸收體，該吸收體包含與該金屬氧化物相比相對于激光中所包含的預定波長的光顯示強地吸收能力的不同的金屬氧化物，

其中該吸收體通過預定波長的光照射而改變為對于該預定波長的光具有低吸收能力的不同組合物，和

其中該粉體的吸收體的含量為0.5體積％-53體積％。

2.根據權利要求1所述的制造用粉體，其中通過改變金屬元素的價態，該吸收體的吸收能力降低。

3.根據權利要求1所述的制造用粉體，其中該吸收體是包含四價鋱的氧化鋱或者包含四價鐠的氧化鐠。

4.根據權利要求1所述的制造用粉體，其包含氧化鋁和氧化釓。

5.根據權利要求1所述的制造用粉體，其中該吸收體以外的金屬氧化物含有選自氧化硅、氧化鋁和氧化鋯中的至少一種組分。

6.根據權利要求5所述的制造用粉體，其中進一步地，包括不為吸收體的稀土氧化物。

7.根據權利要求1所述的制造用粉體，其中該吸收體和該吸收體以外的金屬氧化物包含于形成共晶組成的關系。

8.根據權利要求6所述的制造用粉體，其中該吸收體以外的金屬氧化物和不為吸收體的稀土氧化物包含于形成共晶組成的關系。

9.根據權利要求1所述的制造用粉體，其中該制造用粉體包括粒徑為5μm或更小的氧化硅顆粒。

10.根據權利要求9所述的制造用粉體，其中粒徑為5μm或更小的氧化硅顆粒的質量為該吸收體質量的0.04％或更大且5.0％或更小。

11.根據權利要求1所述的制造用粉體,其中包含由多個組合物的各自的單一化合物形成的顆粒。

12.根據權利要求1所述的制造用粉體，其中包含由兩種或更多種組合物構成的顆粒。

13.根據權利要求1所述的制造用粉體，其中該吸收體作為單一化合物形成顆粒。

14.根據權利要求13所述的制造用粉體，其中形成該吸收體的顆粒的粒徑為不是該吸收體的組合物的顆粒的粒徑的1/5或更小。

15.根據權利要求14所述的制造用粉體，其中形成該吸收體的顆粒的粒徑為10μm或更小。

16.根據權利要求1所述的制造用粉體，其中不含樹脂。

17.根據權利要求1所述的制造用粉體，其中碳含量以摩爾比計相對于制造用粉體所包括的金屬元素為1000ppm或更少。

18.根據權利要求1所述的制造用粉體，其中作為流動性指數滿足40[sec/50g]或更小。

19.陶瓷物，其采用根據權利要求1至18中任一項所述的制造用粉體制造。

20.增材制造方法，其用于通過重復工序(i)和工序(ii)獲得陶瓷物，

(i)在激光照射部中配置根據權利要求1至18中任一項的制造用粉體的步驟；和

(ii)通過使用激光照射該制造用粉體來燒結或熔融并然后凝固該制造用粉體的步驟。

21.根據權利要求20所述的增材制造方法，其中在步驟(i)和步驟(ii)之間中，在進行該粉體的鋪開和平整后照射激光。