[發明專利]散熱性芯片接合膜及切割-芯片接合膜

有效

• 申請號: 201880048265.5
• 申請日: 2018-07-13
• 公開（公告）號: CN110945634B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發明（設計）人: 上野惠子;增子崇;管井頌太
• 申請（專利權）人: 株式會社力森諾科
• 主分類號: H01L21/52
• 分類號: H01L21/52;C09J7/00;C09J11/04;C09J11/06;C09J133/00;C09J163/00;C09J201/00;H01L21/301;H01L23/36
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 白麗

1.一種散熱性芯片接合膜，其是熱導率為2W/(m·K)以上的散熱性芯片接合膜，其含有莫氏硬度不同的2種以上的熱導性填充物，切割工序中的刀片摩耗量為50μm/m以下，作為所述熱導性填充物，含有至少1種的莫氏硬度為1～3的熱導性填充物和至少1種的莫氏硬度為4～9的熱導性填充物，所述散熱性芯片接合膜的厚度為5～50μm。

2.一種散熱性芯片接合膜，其含有莫氏硬度不同的2種以上的熱導性填充物，所述熱導性填充物的含量為20～85質量％，作為所述熱導性填充物，含有至少1種的莫氏硬度為1～3的熱導性填充物和至少1種的莫氏硬度為4～9的熱導性填充物，所述散熱性芯片接合膜的厚度為5～50μm。

3.根據權利要求1或2所述的散熱性芯片接合膜，其中，作為所述熱導性填充物，含有選自氧化鋁填充物、氮化硼填充物、氮化鋁填充物及氧化鎂填充物中的至少2種。

4.根據權利要求3所述的散熱性芯片接合膜，其中，所述氧化鋁填充物含有純度為99.0質量％以上的氧化鋁。

5.根據權利要求3所述的散熱性芯片接合膜，其中，所述氮化硼填充物含有氮的純度為95.0質量％以上的六方晶氮化硼填充物。

6.根據權利要求3所述的散熱性芯片接合膜，其中，所述氮化鋁填充物的密度為3～4g/cm³。

7.根據權利要求3所述的散熱性芯片接合膜，其中，所述氧化鎂填充物含有純度為95.0質量％以上的氧化鎂。

8.根據權利要求1或2所述的散熱性芯片接合膜，其進一步含有：

丙烯酸樹脂及苯氧樹脂中的任一種高分子量成分；

環氧樹脂；

和固化劑。

9.根據權利要求8所述的散熱性芯片接合膜，其中，所述熱導性填充物的合計質量相對于所述高分子量成分、所述環氧樹脂、所述固化劑及所述熱導性填充物的合計量100質量份為20質量份以上。

10.根據權利要求1或2所述的散熱性芯片接合膜，其中，作為所述熱導性填充物，含有氧化鋁填充物和氮化硼填充物。

11.根據權利要求1或2所述的散熱性芯片接合膜，其中，作為所述熱導性填充物，含有氮化硼填充物和氮化鋁填充物。

12.根據權利要求1或2所述的散熱性芯片接合膜，其中，作為所述熱導性填充物，含有氮化硼填充物和氧化鎂填充物。

13.一種切割-芯片接合膜，其具備切割膜和層疊在該切割膜上的芯片接合膜，所述芯片接合膜為權利要求1～12中任一項所述的散熱性芯片接合膜。