[發(fā)明專利]用于節(jié)省存儲器刷新功率的部分刷新技術(shù)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880048140.2
• 申請日: 2018-05-25
• 公開（公告）號: CN110945589A
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: J·孫;Y·李;M·H·洛;D·T·程
• 申請（專利權(quán)）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: G11C11/406
• 分類號: G11C11/406;G11C7/10;G11C8/12
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 亓云;陳煒

在常規(guī)的存儲器子系統(tǒng)中，當(dāng)存儲器設(shè)備處于自動刷新模式時，存儲器控制器向DRAM存儲器設(shè)備發(fā)出顯式的刷新命令以維持存儲在存儲器設(shè)備中的數(shù)據(jù)的完整性。可消耗相當(dāng)大量的功率來執(zhí)行刷新。為了解決該問題以及其他問題，提議允許在自動刷新模式中的部分刷新，其中可針對存儲器單元的子集跳過刷新操作。通過這種選擇性刷新跳過，可減小自動刷新所消耗的功率。操作系統(tǒng)內(nèi)核和存儲器驅(qū)動器可被配置成確定可以跳過刷新操作的存儲器區(qū)域。

公開領(lǐng)域

所公開的主題內(nèi)容的領(lǐng)域涉及存儲器設(shè)備。具體而言，所公開的主題內(nèi)容的領(lǐng)域涉及存儲器設(shè)備中的部分刷新操作以節(jié)省功率。

背景

存儲器設(shè)備(諸如動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM))廣泛用于計算設(shè)備(包括移動設(shè)備)中以存儲數(shù)據(jù)。為了維持?jǐn)?shù)據(jù)完整性，DRAM單元被周期性地刷新。隨著DRAM的密度和速度增加，刷新操作對DRAM的總體性能和功耗的影響變得越來越大。刷新操作的影響在移動設(shè)備中可以特別顯著，因為在這些設(shè)備中功耗是較大的關(guān)注問題。

概述

本概述標(biāo)識了一些示例方面的特征，并且不是對所公開的主題內(nèi)容的排他性或窮盡性描述。各特征或各方面是被包括在本概述中還是從本概述中省略不旨在指示這些特征的相對重要性。描述了附加特征和方面，并且這些附加特征和方面將在閱讀以下詳細(xì)描述并查看形成該詳細(xì)描述的一部分的附圖之際變得對本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見。

公開了一種示例性裝置。所述裝置可包括存儲器設(shè)備，并且所述存儲器設(shè)備可包括多個存儲器單元和部分陣列刷新掩蔽寄存器。當(dāng)所述存儲器設(shè)備處于自動刷新模式并且所述部分陣列自動刷新被啟用時，所述多個存儲器單元的一部分可基于所述部分陣列刷新掩蔽寄存器來被掩蔽而不進行刷新。

公開了一種示例性裝置。所述裝置可包括：被配置成在鏈路上彼此通信的片上系統(tǒng)和存儲器設(shè)備。所述片上系統(tǒng)可被配置成在所述鏈路上向所述存儲器設(shè)備提供命令。所述存儲器設(shè)備可被配置成處于自刷新模式或處于自動刷新模式。所述存儲器設(shè)備可包括多個存儲器單元。所述存儲器設(shè)備還可包括部分陣列刷新掩蔽寄存器。當(dāng)所述存儲器設(shè)備處于所述自刷新模式并且部分陣列自刷新被啟用時，所述存儲器設(shè)備可刷新根據(jù)所述部分陣列刷新掩蔽寄存器來選擇的所述存儲器單元的子集而無需從所述片上系統(tǒng)接收刷新命令。當(dāng)所述存儲器設(shè)備處于所述自動刷新模式并且部分陣列自動刷新被啟用時，所述存儲器設(shè)備可在從所述片上系統(tǒng)接收到所述刷新命令之際刷新根據(jù)所述部分陣列刷新掩蔽寄存器來選擇的所述存儲器單元的所述子集。

公開了一種用于降低計算系統(tǒng)的裝置中的功耗的示例性方法。所述裝置可包括：被配置成在鏈路上彼此通信的片上系統(tǒng)和存儲器設(shè)備。所述片上系統(tǒng)可被配置成在所述鏈路上向所述存儲器設(shè)備提供命令。所述存儲器設(shè)備可包括多個存儲器單元。所述存儲器設(shè)備還可包括被配置成實現(xiàn)部分陣列刷新啟用寄存器和部分陣列刷新掩蔽寄存器的多個模式寄存器。所述部分陣列刷新啟用寄存器可包括多個啟用比特，所述多個啟用比特包括部分陣列自刷新啟用比特和部分陣列自動刷新啟用比特。所述部分陣列自刷新啟用比特在被置位時可指示部分陣列自刷新被啟用，并且所述部分陣列自動刷新啟用比特在被置位時可指示部分陣列自動刷新被啟用。在所述方法中，對于用于實現(xiàn)所述部分陣列刷新啟用寄存器的每個模式寄存器，所述片上系統(tǒng)可向所述存儲器設(shè)備發(fā)出模式寄存器寫命令以及對應(yīng)的模式值，以使所述部分陣列刷新啟用寄存器的所述部分陣列自動刷新啟用比特置位。對于用于實現(xiàn)所述部分陣列刷新掩蔽寄存器的每個模式寄存器，所述片上系統(tǒng)還可向所述存儲器設(shè)備發(fā)出模式寄存器寫命令以及對應(yīng)的模式值，以使掩蔽值被寫入所述部分陣列刷新掩蔽寄存器，其中所述掩蔽值對應(yīng)于刷新跳過區(qū)域。所述片上系統(tǒng)可向所述存儲器設(shè)備發(fā)出刷新命令。如果在所述刷新命令被發(fā)出時所述部分陣列自動刷新啟用比特被置位，則所述存儲器設(shè)備可基于所述部分陣列刷新掩蔽寄存器來跳過對所述刷新跳過區(qū)域的刷新。