[發明專利]具有功能復合粒子的纖維布及其制備方法有效
| 申請號: | 201880047951.0 | 申請日: | 2018-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN111295475B | 公開(公告)日: | 2022-07-26 |
| 發明(設計)人: | 袁安素;溫振偉 | 申請(專利權)人: | 納獅新材料有限公司;嘉興奧德醫療技術有限公司 |
| 主分類號: | D06M11/83 | 分類號: | D06M11/83;D06M11/00;C23C14/35;C23C14/34 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 林斯凱 |
| 地址: | 314200 浙江省嘉興市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 功能 復合 粒子 纖維 及其 制備 方法 | ||
1.一種制備具有功能復合粒子的纖維布的方法,其包含:
采用蒸發冷凝工藝將由功能金屬粒子組成的固體金屬塊體放入坩堝中,經由加熱蒸發到真空物理氣相沉積PVD工藝爐中冷凝;
對冷凝狀態下的功能金屬粒子的外表面采用PVD工藝沉積PVD陶瓷層,以形成所述功能復合粒子;及
將所述功能復合粒子通過粒子篩選器篩選及加速以轟擊纖維布,從而將所述功能復合粒子植入所述纖維布中,其中所述粒子篩選器包含磁場生成裝置、電場生成裝置以及檔板,其中磁場方向與電場方向大體上垂直,其中經篩選后的所述功能復合粒子的粒徑為15nm–500nm,且經篩選后的所述功能復合粒子的能量在5KeV–60KeV范圍內。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述電場生成裝置為功率為5Kw-30Kw的獨立偏壓電源。
3.根據權利要求1所述的方法,其中所述磁場的大小為5mT–1000mT。
4.根據權利要求1所述的方法,其中所述電場的大小為5KV–60KV。
5.根據權利要求1所述的方法,其中所述纖維布以大體上垂直于所述功能復合粒子的轟擊方向的線速度10m/min-40m/min移動。
6.根據權利要求1所述的方法,其中所述功能金屬粒子是抗菌金屬粒子,所述抗菌金屬粒子是Ag金屬粒子、Zn金屬粒子、Cu金屬粒子或其混合物。
7.根據權利要求1所述的方法,其中所述PVD陶瓷層包括Zr、Ti、Al、V、Nb、Ta、Y、Fe、Cr、Mo、W或其組合所構成的金屬氧化物、金屬氮化物或其混合物。
8.根據權利要求7所述的方法,其中所述PVD陶瓷層為由ZrN、TiN、AlTiN、Al2O3、ZrO2、TiO2、VN、NbN、TaN、YN、FeN、CrN、MoN、WN、V2O5、Nb2O5、Ta2O5、Y2O3、Fe2O3、Cr2O3、MoO2或WO2構成的PVD陶瓷層。
9.根據權利要求1所述的方法,其中所述纖維布的材料選自棉、麻、絲綢、人造纖維或其組合。
10.一種根據權利要求1-9中任一權利要求所述的方法制成的纖維布,其中所述纖維布的纖維中具有功能復合粒子,其中所述功能復合粒子包括:
內核,所述內核由功能金屬粒子構成,具有外表面;以及
殼層,所述殼層為物理氣相沉積PVD陶瓷層,所述殼層附著在所述內核的外表面,
其中,所述殼層為結晶結構從而允許所述內核中的功能金屬粒子的離子態經由晶界緩釋至所述殼層外。
11.根據權利要求10所述的纖維布,其中所述功能金屬粒子是抗菌金屬粒子,所述抗菌金屬粒子是Ag金屬粒子、Zn金屬粒子、Cu金屬粒子或其混合物。
12.根據權利要求10所述的纖維布,其中所述PVD陶瓷層包括Zr、Ti、Al、V、Nb、Ta、Y、Fe、Cr、Mo、W或其組合所構成的金屬氧化物、金屬氮化物或其混合物。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于納獅新材料有限公司;嘉興奧德醫療技術有限公司,未經納獅新材料有限公司;嘉興奧德醫療技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880047951.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
D06M 對纖維、紗、線、織物、羽毛或由這些材料制成的纖維制品進行D06類內其他類目所不包括的處理
D06M11-00 用無機物或其配合物處理纖維、紗、線、織物或這些材料制成的纖維制品;和機械處理相結合的處理,如絲光
D06M11-01 .用氫、水或重水;用金屬氫化物或其配合物;用硼烷、二硼烷、硅烷、二硅烷、膦、二膦、、二、胂、二胂或它們的配合物
D06M11-07 .用鹵素;用氫鹵酸或其鹽,用氧化物或鹵素的含氧酸或其鹽
D06M11-32 .用氧、臭氧、臭氧化物、氧化物、氫氧化物或過化合物;從具有兩性元素—氧鍵的陰離子衍生的鹽
D06M11-51 .用硫、硒、碲、釙或其化合物
D06M11-58 .用氮或其化合物;如硝酸鹽





