[發(fā)明專利]具有到模塊的近場(chǎng)耦合的背板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880047823.6
• 申請(qǐng)日: 2018-07-18
• 公開（公告）號(hào): CN110915100B
• 公開（公告）日: 2023-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M·W·摩根;S·桑卡蘭;B·S·庫克;A·蒂扎巴瑞;L·A·諾曼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號(hào): H02J50/10
• 分類號(hào): H02J50/10;H02J50/40;H02J50/20;H04B5/00
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 魏利娜

1.一種用于近場(chǎng)通信的設(shè)備，所述設(shè)備包括：

基板；

所述基板上的電路，所述電路具有數(shù)據(jù)輸入端和功率輸入端；

第一近場(chǎng)通信耦合器即第一NFC耦合器，其耦合到所述數(shù)據(jù)輸入端，所述第一NFC耦合器被配置為向所述數(shù)據(jù)輸入端提供數(shù)據(jù)信號(hào)；

第二NFC耦合器，其耦合到所述功率輸入端，所述第二NFC耦合器被配置為向所述功率輸入端提供功率；

射頻接收器即RF接收器，其耦合到所述第一NFC耦合器，所述RF接收器被配置為響應(yīng)于從載波模塊的表面發(fā)射的第一近場(chǎng)或倏逝耦合的電磁能而向所述第一NFC耦合器提供所述數(shù)據(jù)信號(hào)；

功率逆變器，其耦合到所述第二NFC耦合器，所述功率逆變器被配置為響應(yīng)于從所述表面發(fā)射的第二近場(chǎng)或倏逝耦合的電磁能而向所述第二NFC耦合器提供所述功率；以及

殼體，其圍繞所述基板并且將所述第一NFC耦合器和所述第二NFC耦合器定位在所述表面附近。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括RF發(fā)射器和第三NFC耦合器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述基板具有大致垂直于長部分的短部分，并且所述第一NFC耦合器和所述第二NFC耦合器定位于所述基板的所述短部分上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述載波模塊具有大致垂直于所述載波模塊延伸的鰭片，并且所述第一NFC耦合器和所述第二NFC耦合器定位于所述鰭片的表面附近。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述載波模塊具有大致垂直于所述載波模塊延伸的第一鰭片和第二鰭片，并且所述第一NFC耦合器定位于所述第一鰭片的表面附近，并且所述第二NFC耦合器定位于所述第二鰭片的表面附近。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述載波模塊為背板。

7.一種載波模塊，包括：

接口，其具有近場(chǎng)通信數(shù)據(jù)耦合器即NFC數(shù)據(jù)耦合器和NFC功率耦合器，所述NFC數(shù)據(jù)耦合器被配置為提供相應(yīng)數(shù)據(jù)信號(hào)，并且所述NFC功率耦合器被配置為提供功率；

第一射頻發(fā)射器即第一RF發(fā)射器，其分別耦合到所述NFC數(shù)據(jù)耦合器，所述第一RF發(fā)射器被配置為發(fā)射代表所述數(shù)據(jù)信號(hào)的第一近場(chǎng)或倏逝耦合的電磁能；以及

第二RF發(fā)射器，其耦合到所述NFC功率耦合器，所述第二RF發(fā)射器被配置為發(fā)射代表所述功率的第二近場(chǎng)或倏逝耦合的電磁能。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的載波模塊，還包括：信號(hào)分離器，其形成星形拓?fù)洌鲂切瓮負(fù)渚哂械剿鯪FC數(shù)據(jù)耦合器的相應(yīng)點(diǎn)對(duì)點(diǎn)數(shù)據(jù)信號(hào)連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的載波模塊，還包括：大致垂直于所述載波模塊延伸的鰭片，其中所述NFC數(shù)據(jù)耦合器和所述NFC功率耦合器定位于所述鰭片的表面附近。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的載波模塊，還包括：大致垂直于所述載波模塊延伸的第一鰭片和第二鰭片，其中所述NFC數(shù)據(jù)耦合器定位于所述第一鰭片的表面附近，并且所述NFC功率耦合器定位于所述第二鰭片的表面附近。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的載波模塊，其中所述載波模塊為背板。