[發明專利]具有LOCOS溝槽的半導體器件

在審

• 申請號: 201880047728.6
• 申請日: 2018-01-04
• 公開（公告）號: CN110914997A
• 公開（公告）日: 2020-03-24
• 發明（設計）人: 路德-金·恩格文森;伊恩·德文尼;約翰·哈欽斯
• 申請（專利權）人: 丹尼克斯半導體有限公司;株洲中車時代電氣股份有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/08;H01L21/331;H01L29/06
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 舒雄文

1.一種柵極控制的半導體器件，包括：

第一導電類型的集電極區；

設置于所述集電極區之上的第二導電類型的漂移區；

設置于所述漂移區之上的第一導電類型的主體區；

第二導電類型的至少一個第一接觸區，所述至少一個第一接觸區設置于所述主體區上方，并且與所述主體區相比，具有更高的摻雜濃度；

第一導電類型的至少一個第二接觸區，所述至少一個第二接觸區設置成與所述至少一個第一接觸區橫向相鄰，所述至少一個第二接觸區比所述主體區具有更高的摻雜濃度；

從表面延伸到所述漂移區中的至少一個有源溝槽，其中，所述至少一個第一接觸區鄰接所述至少一個有源溝槽，使得在使用中，沿著所述至少一個有源溝槽并在所述主體區內形成溝道區，并且

其中，所述至少一個有源溝槽包括：

兩個垂直側壁以及所述兩個垂直側壁之間的底表面；以及

沿著所述垂直側壁和所述底表面的絕緣層，其中，沿著至少一個垂直側壁的所述絕緣層包括不同的厚度；從所述表面延伸到所述漂移區中的至少一個輔助溝槽，并且其中，所述至少一個輔助溝槽包括：

兩個垂直側壁以及所述兩個垂直側壁之間的底表面；以及

沿著所述垂直側壁和所述底表面的絕緣層，其中，沿著至少一個垂直側壁的所述絕緣層包括恒定的厚度。

2.根據權利要求1所述的器件，其中，所述器件被配置為使得所述至少一個輔助溝槽被偏置在地電位。

3.根據權利要求1或2中的任一項所述的器件，其中，與沿著所述至少一個有源溝槽的所述溝道區的所述絕緣層的厚度相比，沿著所述輔助溝槽的所述至少一個垂直側壁的所述絕緣層包括更大的厚度。

4.根據權利要求1至3中的任一項所述的器件，其中，在所述至少一個有源溝槽中，沿著兩個垂直側壁的所述絕緣層包括不同的厚度。

5.根據權利要求1至3中的任一項所述的器件，其中，在所述至少一個有源溝槽中，沿著一個垂直側壁的所述絕緣層包括不同的厚度，并且沿著另一個垂直側壁的所述絕緣層包括恒定的厚度。

6.根據權利要求1至3中的任一項所述的器件，其中，所述至少一個有源溝槽的每個垂直側壁包括上部和下部。

7.根據權利要求6所述的器件，其中，沿著所述下部的所述絕緣層的厚度大于沿著每個垂直側壁的所述上部的所述絕緣層的厚度。

8.根據權利要求6所述的器件，其中，沿著所述下部的所述絕緣層的厚度大于沿著一個垂直側壁的所述上部的所述絕緣層的厚度，并且其中，對于另一垂直側壁，沿著所述下部和所述上部的所述絕緣層的厚度相同。

9.根據權利要求6至8中的任一項所述的器件，其中，沿著所述至少一個有源溝槽的所述底表面的所述絕緣層的厚度與沿著兩個垂直側壁的所述下部的所述絕緣層的厚度相同。

10.根據權利要求6至9中的任一項所述的器件，其中，所述溝道區沿著沿著所述上部的所述絕緣層形成。

11.根據權利要求6至10中的任一項所述的器件，其中，所述下部的垂直長度大于所述上部的垂直長度。

12.根據權利要求11所述的器件，其中，所述下部的垂直長度與所述上部的垂直長度之比等于或大于1。

13.根據前述權利要求中的任一項所述的器件，其中，在所述至少一個輔助溝槽中，沿著兩個垂直側壁的所述絕緣層包括恒定的厚度。

14.根據權利要求1至12中的任一項所述的器件，其中，在所述至少一個輔助溝槽中，沿著一個垂直側壁的所述絕緣層包括不同的厚度，并且沿著另一個垂直側壁的所述絕緣層包括所述恒定的厚度。