[發明專利]具有封裝級可配置性的半導體裝置有效
| 申請號: | 201880047609.0 | 申請日: | 2018-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN110914984B | 公開(公告)日: | 2021-12-14 |
| 發明(設計)人: | J·E·戴維斯;J·B·普西;尹治平;K·G·杜斯曼 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | H01L27/11524 | 分類號: | H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L23/64;H01L23/60;H01L23/488;H01L27/02;H01L25/065;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 封裝 配置 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置組合件,其包括:
襯底;
裸片,其經耦合到所述襯底,所述裸片包含:
第一接觸墊,其電耦合到所述裸片上的第一電路,所述第一電路包含至少一個有源電路元件,及
第二接觸墊,其電耦合到所述裸片上的第二電路,所述第二電路僅包含無源電路元件;
其中所述襯底包含通過單個接線及單個焊料球電耦合到所述裸片上的所述第一接觸墊及所述第二接觸墊兩者的襯底接觸件,所述焊料球與所述接線、所述第一接觸墊及所述第二接觸墊中的每一者既直接物理接觸又電接觸。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置組合件,其中所述裸片是第一裸片,所述半導體裝置組合件進一步包括:
第二裸片,其包含:
第三接觸墊,其電耦合到所述第二裸片上的第三電路,所述第三電路包含至少第二有源電路元件,及
第四接觸墊,其電耦合到所述第二裸片上的第四電路,所述第四電路僅包含無源電路元件;
其中所述襯底接觸件電耦合到所述第二裸片上的所述第三接觸墊,且
其中所述第二裸片上的所述第四接觸墊與所述襯底接觸件電切斷。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置組合件,其中所述第一裸片及所述第二裸片是相同裸片,其中所述第一裸片上的所述第一接觸墊對應于所述第二裸片上的所述第三接觸墊,且所述第一裸片上的所述第二接觸墊對應于所述第二裸片上的所述第四接觸墊。
4.根據權利要求2所述的半導體裝置組合件,其中所述第一裸片及所述第二裸片是以疊瓦式配置堆疊。
5.根據權利要求2所述的半導體裝置組合件,其中所述襯底接觸件通過所述第一接觸墊與所述第三接觸墊之間的接線電耦合到所述第三接觸墊。
6.根據權利要求1所述的半導體裝置組合件,其中所述第一電路是驅動器電路。
7.根據權利要求1所述的半導體裝置組合件,其中所述第二電路包含用于提供靜電放電ESD保護的一或多個電容器。
8.根據權利要求1所述的半導體裝置組合件,其中所述裸片是NAND存儲器裸片。
9.一種制造半導體裝置組合件的方法,其包括:
提供包含襯底接觸件的襯底;
將一或多個半導體裸片耦合到所述襯底,其中所述一或多個半導體裸片中的每一者包含:
第一接觸墊,其電耦合到所述半導體裸片上的第一電路,所述第一電路包含至少一個有源電路元件,及
第二接觸墊,其電耦合到所述半導體裸片上的第二電路,所述第二電路僅包含無源電路元件;
通過單個接線及單個焊料球將所述襯底接觸件電耦合到所述一或多個半導體裸片中的第一者的所述第一接觸墊及所述第二接觸墊兩者,所述焊料球與所述接線、所述一或多個半導體裸片中的所述第一者的所述第一接觸墊及所述一或多個半導體裸片中的所述第一者的所述第二接觸墊既直接物理接觸又電接觸。
10.根據權利要求9所述的方法,其中所述多個半導體裸片是相同半導體裸片。
11.根據權利要求9所述的方法,其中所述一或多個半導體裸片中的每一者的所述第一電路是驅動器電路。
12.根據權利要求9所述的方法,其中所述一或多個半導體裸片中的每一者的所述第二電路包含用于提供靜電放電ESD保護的一或多個電容器。
13.根據權利要求9所述的方法,其中所述一或多個半導體裸片包括至少一個NAND存儲器裸片。
14.根據權利要求9所述的方法,其中所述一或多個半導體裸片包括以疊瓦式配置堆疊的多個半導體裸片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





