[發(fā)明專利]光纖及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880047487.5
• 申請日: 2018-07-17
• 公開（公告）號: CN110914726A
• 公開（公告）日: 2020-03-24
• 發(fā)明（設計）人: 丸山遼
• 申請（專利權）人: 株式會社藤倉
• 主分類號: G02B6/036
• 分類號: G02B6/036;C03B37/018;G02B6/028
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王瑋;張豐橋

本發(fā)明涉及光纖及其制造方法，該光纖具備纖芯、包圍上述纖芯的凹陷層、以及包圍上述凹陷層的包層，上述纖芯的折射率分布具有指數α為3.5以上6以下的α次方分布，上述凹陷層相對于上述包層的相對折射率差Δ^－被設定為其絕對值|Δ^－|為0.01％以上0.045％以下，上述纖芯的半徑r1以及上述凹陷層的外周半徑r2被設定為它們的比例r1/r2為0.2以上0.6以下，22m的光纜截止波長λ_cc為1260nm以下，波長1310nm的模場直徑MFD為8.6μm以上9.5μm以下。

相關申請的交叉引用

本申請主張享有2017年7月18日在日本申請的日本專利申請2017－139349號以及2018年3月9日在日本申請的日本專利申請2018－043636號的優(yōu)先權，在此引用其內容。

技術領域

本發(fā)明涉及在纖芯與包層之間具有凹陷層的光纖。另外，涉及制造上述的光纖的制造方法。

背景技術

在專利文獻1中公開了在纖芯與包層之間具有凹陷層的光纖。在專利文獻1中記載了通過將凹陷層相對于包層的相對折射率差Δ^－以及纖芯的半徑r1相對于凹陷層的外周半徑r2的比r1/r2最優(yōu)化，從而能夠實現維持模場直徑并將與通用光纖的連接損耗抑制為較小，并且彎曲損耗滿足與光纖有關的國際規(guī)格亦即ITU－T(InternationalTelecommunication Union Telecommunication Standardization Sector：國際電信聯盟電信標準化部門)建議G.657.A1的光纖。

此外，模場直徑(MFD：Mode Field Diameter)在ITU－T建議G.650.1中，由彼得曼第二定義式(下公式(1))表示。這里，E(r)表示距光纖的中心軸的距離成為r這點的電場強度。

[公式1]

另外，彎曲損耗表示卷繞于具有規(guī)定的半徑的心軸等時的損耗的增加量。

專利文獻1：國際公開第2016/047749號

然而，在光纖中，除了連接損耗以及彎曲損耗之外，還需要考慮色散特性。例如，在ITU－T建議G.652中，被推薦將零色散波長ZDW形成1300nm以上1324nm以下，將零色散斜率形成0.073ps/km/nm²以上0.092ps/km/nm²以下。若考慮制造偏差，則優(yōu)選設計零色散波長成為1305nm以上1319nm以下的光纖。

然而，具有凹陷層的光纖與不具有凹陷層的光纖相比，存在零色散波長變短的趨勢。即使在專利文獻1所記載的光纖中，也存在零色散波長小于1305nm的情況。因此，在專利文獻1所記載的光纖中留有改善色散特性的余地。

此外，零色散波長是指波長色散的值成為零的波長。這里，波長色散是材料色散與波導色散的合計。另外，零色散斜率是指零色散波長的波長色散相對于波長的變化率。

發(fā)明內容

本發(fā)明是鑒于上述的課題而完成的，其目的在于，在具有凹陷層的光纖中，兼顧低連接損耗性與低彎曲損耗性，并且實現色散特性的改善。

為了解決上述的課題，本發(fā)明的第1方式的光纖具備：纖芯、包圍上述纖芯的凹陷層、以及包圍上述凹陷層的包層，上述纖芯的折射率分布具有指數α為3.5以上6以下的α次方分布，上述凹陷層相對于上述包層的相對折射率差Δ^－被設定為其絕對值|Δ^－|為0.01％以上0.045％以下，上述纖芯的半徑r1以及上述凹陷層的外周半徑r2被設定為它們的比例r1/r2為0.2以上0.6以下，22m的光纜截止波長λ_cc為1260nm以下，波長1310nm的模場直徑MFD為8.6μm以上9.5μm以下。