[發(fā)明專利]在金屬表面上沉積阻擋層的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880047381.5
• 申請日: 2018-07-17
• 公開（公告）號: CN110892508B
• 公開（公告）日: 2023-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 巴斯卡爾·喬蒂·布雅;馬克·沙麗;拉克馬爾·C·卡拉塔拉格;托馬斯·卡尼斯利
• 申請（專利權(quán)）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種選擇性沉積阻擋層的方法，所述方法包括：將具有金屬表面與介電表面的基板暴露于炔烴(alkyne)及氮反應物，以選擇性地在所述金屬表面上形成阻擋層，所述氮反應物包括疊氮化物或腈氧化物，其中所述炔烴包括至少一種通式為SiR₄的化合物，其中每一R獨立地選自C1至C18烷基、芳基、或炔基基團，條件是至少一個R是炔基。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述金屬表面包括銅。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括：在將所述基板暴露于所述炔烴及氮反應物之前用氫等離子體清潔所述金屬表面。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述炔烴包括兩種或更多種炔烴部分。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述疊氮化物包括兩種或更多種疊氮化物部分。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述疊氮化物包括至少一種通式為SiR₄的化合物，其中每一R獨立地選自C1至C18烷基、芳基、或疊氮化物基團，條件是至少一個R是疊氮化物。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述氮反應物實質(zhì)上不包括腈氧化物。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括：在所述介電表面上選擇性沉積氮化硅層。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，進一步包括：重復如下步驟以形成具有預定厚度的氮化硅膜：移除所述阻擋層及將所述基板暴露于所述炔烴及氮反應物，以選擇性阻擋所述金屬表面；及選擇性地在所述介電表面上沉積氮化硅膜，其中通過將所述基板依序暴露于氧等離子體及氫等離子體而將所述阻擋層從所述基板移除。

10.一種選擇性沉積阻擋層的方法，所述方法包括：將具有金屬表面與介電表面的基板暴露于炔烴及氮反應物，以在所述金屬表面上選擇性形成阻擋層，所述氮反應物包括疊氮化物或腈氧化物，其中所述疊氮化物包括至少一種通式為SiR₄的化合物，其中每一R獨立地選自C1至C18烷基、芳基、或疊氮化物基團，條件是至少一個R是疊氮化物。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述金屬表面包括銅。

12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述疊氮化物包括兩種或更多種疊氮化物部分。

13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述炔烴包括兩種或更多種炔烴部分。