[發(fā)明專利]通過外科手術(shù)定位的中子通量激活的高能治療帶電粒子生成系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880047333.6 | 申請(qǐng)日： | 2018-08-13 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110913953A | 公開（公告）日： | 2020-03-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | J·H·納爾遜;M·D·海貝爾 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 西屋電氣有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào)： | A61N5/10 | 分類號(hào)： | A61N5/10;A61K41/00 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人： | 姜雪梅 |
| 地址： | 美國賓夕*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 通過 外科手術(shù) 定位 中子通量 激活 高能 治療 帶電 粒子 生成 系統(tǒng) | ||
1.一種治療動(dòng)物(12)的身體內(nèi)的局部癌細(xì)胞的方法，方法包括以下步驟：
將治療源(10)定位在身體內(nèi)、在癌細(xì)胞附近，治療源(10)當(dāng)不暴露于低于給定活性的中子源時(shí)基本上不具有放射活性，但當(dāng)治療源暴露于處于給定活性或高于給定活性的中子場(chǎng)時(shí)變成高度電離但輻射穿透性弱的治療源；
用處于給定活性或高于給定活性的中子場(chǎng)從體外輻照治療源(10)規(guī)定的時(shí)間段；并且
以規(guī)定的間隔重復(fù)輻照步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的治療局部癌細(xì)胞的方法，其中，高度電離但輻射穿透性弱的治療源(10)包括B4C或P-31。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的治療局部癌細(xì)胞的方法，其中，所述B4C富含B-10。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的治療局部癌細(xì)胞的方法，其中，所述高度電離但輻射穿透性弱的治療源(10)被構(gòu)造為使得其基本上僅輻照癌細(xì)胞。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的治療局部癌細(xì)胞的方法，其中，在所述治療源(10)的不面對(duì)所述癌細(xì)胞的一側(cè)上形成輻射屏蔽材料，所述輻射屏蔽材料屏蔽至少一些高電離輻射但是中子基本透過。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的治療局部癌細(xì)胞的方法，其中，所述定位步驟包括以下步驟：通過外科手術(shù)將所述治療源(10)大致植入到癌細(xì)胞上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的治療局部癌細(xì)胞的方法，其中，輻照治療源(10)的步驟包括使用電中子發(fā)生器(14)來輻照治療源(10)的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的治療局部癌細(xì)胞的方法，其中，所述電中子發(fā)生器(14)是Neutristor。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的治療局部癌細(xì)胞的方法，其中，所述電中子發(fā)生器(14)包括定位在身體周圍以從不同角度輻照所述治療源(10)的多個(gè)電中子發(fā)生器。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的治療局部癌細(xì)胞的方法，包括以下步驟：在電中子發(fā)生器(14)與治療源(10)之間使用中子慢化材料(16)來調(diào)節(jié)中子能量以優(yōu)化由治療源(10)產(chǎn)生的高度電離但穿透性弱的輻射。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的治療局部癌細(xì)胞的方法，其中，所述中子慢化材料(16)包括D2O或C。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的治療局部癌細(xì)胞的方法，其中，使用中子慢化材料(16)的步驟包括將中子慢化材料(16)放置在身體外部的步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的治療局部癌細(xì)胞的方法，所述方法包括：在治療局部癌細(xì)胞的治療之間將治療源(10)留在身體內(nèi)的步驟。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的治療局部癌細(xì)胞的方法，所述方法包括：一旦完成對(duì)局部癌細(xì)胞的治療將治療源(10)從身體移除的步驟。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的治療局部癌細(xì)胞的方法，其中，治療源(10)包括一個(gè)或多個(gè)非常薄的盤或板，所述盤或板具有微米級(jí)厚度并具有足夠的組合表面積，以確保當(dāng)盤或板中的一個(gè)或多個(gè)圍繞癌細(xì)胞放置并且用中子場(chǎng)輻照時(shí)，整個(gè)體積的局部癌細(xì)胞將受到高度電離但穿透性弱的輻射影響。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的治療局部癌細(xì)胞的方法，其中，治療源(10)由產(chǎn)生高能α或β粒子而不產(chǎn)生γ輻射或產(chǎn)生低能γ輻射的材料構(gòu)造而成。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的治療局部癌細(xì)胞的方法，其中，治療源的材料不溶于水、對(duì)身體無毒，并且具有短的半衰期。
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