[發明專利]電容器有效
| 申請號: | 201880047281.2 | 申請日: | 2018-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN110914973B | 公開(公告)日: | 2023-05-30 |
| 發明(設計)人: | 竹內雅樹;蘆峰智行 | 申請(專利權)人: | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號: | H01L21/822 | 分類號: | H01L21/822;H01G4/33;H01L27/04 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 金雪梅;王秀輝 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電容器 | ||
具備:基材(110),其具有相互對置的第一主面(110A)以及第二主面(110B),并在第一主面(110A)側形成有多個溝道部(111);介電膜(130),其在基材(110)的第一主面(110A)側設置在包含多個溝道部(111)的內側的區域;導電體膜(140),其設置在包含多個溝道部(111)的內側的區域且設置在介電膜(130)之上;以及焊盤(161),其與導電體膜(140)電連接,多個溝道部(111)在從基材(110)的第一主面(110A)的法線方向俯視時,避開焊盤(161)的周圍的區域中沿與焊盤(161)電連接的焊線(162)延伸的第一方向X的第一區域(101)而設置在沿與第一方向X交叉的第二方向Y的第二區域(102)。
技術領域
本發明涉及電容器。
背景技術
為了與安裝電容器的電子設備的高功能化·小型化對應,電容器要求電容密度的提高。例如,在專利文獻1公開了具有在基板的貫通孔內以中心導體為中心同軸狀地配置了電介質和外側導體的多個電容器結構部、和形成在基板的表面側并與中心導體電連接的上面布線,將上面布線作為連接端子,連接端子經由焊線與外部端子連接的半導體裝置。由此,即使不擴大芯片面積也能夠使電容器結構部的電容器電容增加。
然而,例如使用超聲波將這樣的電容器的連接端子(焊盤)與焊線相互連接。在使用了超聲波的引線鍵合中,通過將焊線按壓至焊盤,并施加超聲波以使焊線與焊盤的接合部向一個方向振動,使焊線與焊盤接合。超聲波的振動方向典型而言是焊線的延伸方向。
專利文獻1:日本專利第5522077號公報
如專利文獻1所圖示的那樣,在焊盤和電容器結構部沿焊線的延伸方向排列的情況下,有由于引線鍵合時的超聲波而電容器結構部損傷的擔心。
發明內容
本發明是鑒于這樣的情況而完成的,目的在于提供能夠實現可靠性的提高的電容器。
本發明的一方式所涉及的電容器具備:基材,其具有相互對置的第一主面以及第二主面,并在第一主面側形成有多個溝道部;介電膜,其在基材的第一主面側設置在包含多個溝道部的內側的區域;導電體膜,其設置在包含多個溝道部的內側的區域且設置在介電膜之上;以及焊盤,其與導電體膜電連接,多個溝道部在從基材的第一主面的法線方向俯視時,避開焊盤的周圍的區域中沿與焊盤電連接的焊線延伸的第一方向的第一區域而設置在沿與第一方向交叉的第二方向的第二區域。
本發明的其它的一方式所涉及的電容器具備:基材,其具有相互對置的第一主面以及第二主面,并在第一主面側形成有多個溝道部;介電膜,其在基材的第一主面側設置在包含多個溝道部的內側的區域;導電體膜,其設置在包含多個溝道部的內側的區域且設置在介電膜之上;以及焊盤,其與導電體膜電連接,多個溝道部在從基材的第一主面的法線方向俯視時,沿第一方向具有細長的開口形狀。
本發明的其它的一方式所涉及的電容器具備:基材,其具有相互對置的第一主面以及第二主面,并在第一主面側形成有多個溝道部;介電膜,其在基材的第一主面側設置在包含多個溝道部的內側的區域;導電體膜,其設置在包含多個溝道部的內側的區域且設置在介電膜之上;以及焊盤,其與導電體膜電連接,多個溝道部在從基材的第一主面的法線方向俯視時,設置為焊盤的周圍的區域中沿與焊盤電連接的焊線延伸的第一方向的第一區域的開口面積密度比沿與第一方向交叉的第二方向的第二區域的開口面積密度小。
根據本發明,能夠提供能夠實現可靠性的提高的電容器。
附圖說明
圖1是示意地表示第一實施方式所涉及的電容器的構成的俯視圖。
圖2是示意地表示沿圖1所示的電容器的II-II′線的剖面的構成的剖視圖。
圖3是示意地表示第二實施方式所涉及的電容器的構成的俯視圖。
圖4是示意地表示第三實施方式所涉及的電容器的構成的俯視圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





