[發明專利]攝像裝置有效
| 申請號： | 201880047158.0 | 申請日： | 2018-06-27 |
| 公開（公告）號： | CN110892710B | 公開（公告）日： | 2022-06-14 |
| 發明（設計）人： | 山下浩史 | 申請（專利權）人： | 索尼半導體解決方案公司 |
| 主分類號： | H04N5/3745 | 分類號： | H04N5/3745;H04N5/369;H01L27/146;H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人： | 陳桂香;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 攝像 裝置 | ||
1.一種攝像裝置，其包括具有多個像素的攝像單元，
所述像素具有：
轉換元件，其將入射光轉換成光電子；
浮動擴散層，其電連接到所述轉換元件并將所述光電子轉換為電壓信號；
差分放大電路，其電連接到所述浮動擴散層，所述差分放大電路包括被輸入所述浮動擴散層的電位的放大晶體管，并放大所述浮動擴散層的電位；
反饋晶體管，其電連接到所述放大晶體管并初始化所述差分放大電路；
鉗位電容，其串聯連接在所述浮動擴散層和所述放大晶體管之間；和
復位晶體管，其并聯連接在所述浮動擴散層和所述鉗位電容之間，并初始化所述浮動擴散層的電位。
2.根據權利要求1所述的攝像裝置，其中，多個所述像素共享所述浮動擴散層、所述差分放大電路、所述反饋晶體管、所述鉗位電容和所述復位晶體管。
3.根據權利要求1或2所述的攝像裝置，其中，
所述攝像單元由層壓的多層基板構成，并且
至少所述轉換元件、所述浮動擴散層和所述復位晶體管設置在同一層的基板上。
4.根據權利要求3所述的攝像裝置，其中，所述轉換元件、所述浮動擴散層、所述差分放大電路的包括所述放大晶體管的部分、所述反饋晶體管、所述鉗位電容和所述復位晶體管設置在同一層的基板上。
5.根據權利要求3所述的攝像裝置，其中，所述轉換元件、所述浮動擴散層、所述鉗位電容和所述復位晶體管設置在同一層的基板上。
6.根據權利要求3所述的攝像裝置，其中，
所述轉換元件、所述浮動擴散層和所述復位晶體管設置在同一層的基板上，并且
所述鉗位電容是將不同層的基板接合在一起的布線的線間電容。
7.根據權利要求1或2所述的攝像裝置，其中，
當初始化所述浮動擴散層的電位時，所述反饋晶體管處于導通狀態，并且電連接到所述浮動擴散層的所述放大晶體管的端子固定為所述差分放大電路的初始電位，并且
當檢測由所述浮動擴散層獲得的所述電壓信號時，所述反饋晶體管處于截止狀態，并且所述放大晶體管的所述端子發生電浮動。
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