[發明專利]在端子的腳部下方的金屬化層中具有凹陷的功率半導體模塊在審
| 申請號： | 201880046301.4 | 申請日： | 2018-06-27 |
| 公開（公告）號： | CN110945651A | 公開（公告）日： | 2020-03-31 |
| 發明（設計）人： | M.馬萊基;F.菲舍爾;D.特呂澤爾;R-A.吉耶曼;D.施奈德 | 申請（專利權）人： | ABB電網瑞士股份公司 |
| 主分類號： | H01L23/498 | 分類號： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李嘯;劉春元 |
| 地址： | 瑞士*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 端子 部下 金屬化 具有 凹陷 功率 半導體 模塊 | ||
1.一種功率半導體模塊（10），包括：
絕緣襯底（14），所述絕緣襯底（14）具有頂部金屬化層（22）；
半導體芯片（40），所述半導體芯片（40）接合到所述頂部金屬化層（22）；
端子（12），所述端子（12）利用腳部（28）連接到所述頂部金屬化層（22）并且電互連到所述半導體芯片（40）；
其中所述頂部金屬化層（22）和所述襯底（14）的與所述頂部金屬化層（22）相對設置的底部金屬化層（44）中的至少一個包括多個凹陷（34），所述多個凹陷（34）在所述腳部（28）下方分布在連接區域（32）中；
其中所述端子（12）的所述腳部（28）在所述連接區域（32）中被焊接到所述頂部金屬化層（22）。
2.如權利要求1所述的功率半導體模塊（10），
其中所述凹陷（34）分布在以下中的至少一個：
在所述腳部（28）的下方，
在所述腳部（28）的邊緣（36）下方，
在所述腳部（28）的邊緣（36）外側。
3.如權利要求1所述的功率半導體模塊（10），
其中所述凹陷（34）僅僅分布在所述腳部（28）下方。
4.如權利要求1所述的功率半導體模塊（10），
其中凹陷（34）僅僅分布在所述腳部（28）的邊緣（36）外側。
5.如前述權利要求中的一項所述的功率半導體模塊（10），
其中所述凹陷（34）具有比所述金屬化層（22、24）的厚度小的深度。
6.如前述權利要求中的一項所述的功率半導體模塊（10），
其中所述凹陷（34）透過所述金屬化層（22、24）。
7.如前述權利要求中的一項所述的功率半導體模塊（10），
其中相鄰的凹陷相對于彼此具有比所述凹陷的三個直徑小的距離。
8.如前述權利要求中的一項所述的功率半導體模塊（10），
其中所述連接區域（32）從所述腳部（28）下面突出所述腳部（28）的最大直徑的至少1/4；
其中所述腳部（28）的邊緣（36）外側的凹陷（34）具有離所述腳部的所述邊緣（36）的最大距離，所述最大距離比所述腳部（28）的最大直徑的1/4小。
9.如前述權利要求中的一項所述的功率半導體模塊（10），
其中所述凹陷（34）以規則的圖案分布。
10.如前述權利要求中的一項所述的功率半導體模塊（10），
其中凹陷（34）沿著所述腳部（28）的邊緣（36）分布在所述腳部（28）的至少三個側上。
11.如前述權利要求中的一項所述的功率半導體模塊（10），
其中所述絕緣襯底（14）包括由AlN、Al2O3和SiN中的至少一個制成的陶瓷層（20）。
12.如前述權利要求中的一項所述的功率半導體模塊（10），
其中所述功率半導體模塊（10）包括基板（16），利用所述底部金屬化層（24）將所述絕緣襯底（14）接合到所述基板（16）；
其中凹陷（34）設置在陶瓷襯底（20）和所述基板（16）之間的所述底部金屬化層（24）中。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于ABB電網瑞士股份公司，未經ABB電網瑞士股份公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880046301.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
