[發(fā)明專利]NAND存儲器陣列、包括半導(dǎo)體溝道材料及氮的裝置以及形成NAND存儲器陣列的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880046100.4 | 申請日： | 2018-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN110892529A | 公開（公告）日： | 2020-03-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | C·M·卡爾森;劉鴻威;李杰;D·帕夫洛珀羅斯 | 申請（專利權(quán)）人： | 美光科技公司 |
| 主分類號： | H01L27/11556 | 分類號： | H01L27/11556;H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 王龍 |
| 地址： | 美國愛*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | nand 存儲器 陣列 包括 半導(dǎo)體 溝道 材料 裝置 以及 形成 方法 | ||
1.一種裝置，其包括：
柵極，其通過介電區(qū)域與半導(dǎo)體溝道材料間隔開；及
含氮材料，其直接抵靠所述半導(dǎo)體溝道材料且位于所述半導(dǎo)體溝道材料的與所述介電區(qū)域相對的側(cè)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述半導(dǎo)體溝道材料包括鍺、硅、GaAs、InP、GaP及GaN中的一或多者。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中：
所述半導(dǎo)體溝道材料包括硅，
所述含氮材料包括氮化硅；
氮沿著所述半導(dǎo)體溝道材料與所述氮化硅結(jié)合之處的界面位于所述半導(dǎo)體溝道材料內(nèi)；且
所述氮以在從大約0.1原子百分比到大約5原子百分比的范圍內(nèi)的濃度存在于所述半導(dǎo)體溝道材料的體積內(nèi)；所述半導(dǎo)體溝道材料的所述體積是在距所述界面不大于大約的距離內(nèi)的所述半導(dǎo)體溝道材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其是晶體管，且具有在一對源極/漏極區(qū)域之間延伸的半導(dǎo)體溝道區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其是NAND存儲器單元，且具有在所述介電區(qū)域的與所述半導(dǎo)體溝道材料相對的側(cè)上的電荷存儲材料。
6.一種裝置，其包括：
柵極，其通過介電區(qū)域與半導(dǎo)體溝道材料間隔開；及
氮，其位于所述半導(dǎo)體溝道材料中的至少一些半導(dǎo)體溝道材料內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中所述半導(dǎo)體溝道材料包括硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中所述氮以在從大約0.1原子百分比到大約5原子百分比的范圍內(nèi)的濃度存在于所述半導(dǎo)體溝道材料的體積內(nèi)；所述體積在從所述半導(dǎo)體溝道材料的大約1體積百分比到所述半導(dǎo)體溝道材料的大約全部的范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述體積在從所述半導(dǎo)體溝道材料的大約1體積百分比到所述半導(dǎo)體溝道材料的大約50體積百分比的范圍內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述體積在從所述半導(dǎo)體溝道材料的大約1體積百分比到所述半導(dǎo)體溝道材料的大約25體積百分比的范圍內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其進(jìn)一步包括在所述半導(dǎo)體溝道材料的所述體積內(nèi)的氧、氟及氫中的一或多者。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其是晶體管，且具有在一對源極/漏極區(qū)域之間延伸的半導(dǎo)體溝道區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其包括直接抵靠所述半導(dǎo)體溝道材料的第一側(cè)的所述介電區(qū)域，且包括直接抵靠所述半導(dǎo)體溝道材料的第二側(cè)的化學(xué)計量氮化硅，其中所述半導(dǎo)體溝道材料的所述第二側(cè)與所述半導(dǎo)體溝道材料的所述第一側(cè)成相對關(guān)系。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中所述柵極位于所述半導(dǎo)體溝道材料上面，且其中化學(xué)計量氮化硅橫向地位于所述源極/漏極區(qū)域之間及所述半導(dǎo)體溝道材料下面。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述化學(xué)計量氮化硅沿著所述源極/漏極區(qū)域向上延伸不超過大約一半。
16.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其是NAND存儲器單元，且具有位于半導(dǎo)體溝道區(qū)域與所述柵極之間的電荷存儲材料；所述介電區(qū)域位于所述半導(dǎo)體溝道區(qū)域與所述電荷存儲材料之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
