[發(fā)明專利]攝像裝置及電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880045604.4 | 申請日： | 2018-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN110870299B | 公開（公告）日： | 2022-08-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 小林英智;玉造祐樹;楠本直人 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類號： | H04N5/3745 | 分類號： | H04N5/3745;H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/146;H04N5/225 |
| 代理公司： | 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人： | 劉倜 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 攝像 裝置 電子設(shè)備 | ||
1.一種攝像裝置，包括：
光電轉(zhuǎn)換元件；
第一晶體管；
第二晶體管；以及
第一反相器電路，
其中，所述第一反相器電路具有CMOS電路的結(jié)構(gòu)，
所述光電轉(zhuǎn)換元件的一個電極與所述第一晶體管的源極和漏極中的一個電連接，
所述第一晶體管的源極和漏極中的另一個與所述第二晶體管的源極和漏極中的一個電連接，
所述第二晶體管的源極和漏極中的一個與所述第一反相器電路的輸入端子電連接，
所述第一晶體管和所述第二晶體管各自在溝道形成區(qū)域中包含金屬氧化物，
并且所述第一反相器電路所包括的n型晶體管具有半導(dǎo)體層、隔著所述半導(dǎo)體層彼此對置的第一柵極及第二柵極。
2.一種攝像裝置，包括：
光電轉(zhuǎn)換元件；
第一晶體管；
第二晶體管；
第一反相器電路；以及
第二反相器電路，
其中所述第一反相器電路和所述第二反相器電路各自具有CMOS電路的結(jié)構(gòu)，
所述光電轉(zhuǎn)換元件的一個電極與所述第一晶體管的源極和漏極中的一個電連接，
所述第一晶體管的源極和漏極中的另一個與所述第二晶體管的源極和漏極中的一個電連接，
所述第二晶體管的源極和漏極中的一個與所述第一反相器電路的輸入端子電連接，
所述第一晶體管和所述第二晶體管各自在溝道形成區(qū)域中包含金屬氧化物，
并且所述第二反相器電路的輸入端子與所述第一反相器電路的輸出端子電連接。
3.一種攝像裝置，包括：
光電轉(zhuǎn)換元件；
第一晶體管；
第二晶體管；
第一反相器電路；
第二反相器電路；以及
第三晶體管，
其中所述第一反相器電路和所述第二反相器電路各自具有CMOS電路的結(jié)構(gòu)，
所述光電轉(zhuǎn)換元件的一個電極與所述第一晶體管的源極和漏極中的一個電連接，
所述第一晶體管的源極和漏極中的另一個與所述第二晶體管的源極和漏極中的一個電連接，
所述第二晶體管的源極和漏極中的一個與所述第一反相器電路的輸入端子電連接，
所述第一晶體管和所述第二晶體管各自在溝道形成區(qū)域中包含金屬氧化物，
所述第二反相器電路的輸入端子與所述第一反相器電路的輸出端子電連接，
所述第三晶體管的柵極與所述第一反相器電路的輸出端子電連接，
并且所述第三晶體管的源極和漏極中的一個與所述第一反相器電路的輸入端子電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的攝像裝置，還包括：
第一電容器，
其中所述第一電容器的一個電極與所述第二反相器電路的輸出端子電連接，
并且所述第一電容器的另一個電極與所述第一反相器電路的輸入端子電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的攝像裝置，還包括：
第二電容器，
其中所述第二電容器的一個電極與所述第一反相器電路的輸出端子電連接，
并且所述第二電容器的另一個電極與所述第一反相器電路的輸入端子電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，還包括：
第五晶體管；
第六晶體管；以及
第七晶體管，
其中所述第五晶體管的源極和漏極中的一個與所述第一晶體管的源極和漏極中的另一個電連接，
所述第五晶體管的源極和漏極中的一個與所述第六晶體管的柵極電連接，
所述第六晶體管的源極和漏極中的一個與所述第七晶體管的源極和漏極中的一個電連接，
并且所述第六晶體管的源極和漏極中的一個與所述第五晶體管的柵極電連接。
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