[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880045559.2
• 申請日: 2018-05-28
• 公開（公告）號: CN110870067A
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: H·維爾賈南;P·蘭塔卡里;T·瓦哈-?；?/a>;E·圖奧維南
• 申請（專利權(quán)）人: 芬蘭國家技術(shù)研究中心股份公司
• 主分類號: H01L27/01
• 分類號: H01L27/01;H01L21/762
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 董典紅

1.一種半導(dǎo)體裝置(200、300)，包括：

硅襯底層(210)，所述硅襯底層的至少一部分被摻雜有一導(dǎo)電類型的摻雜劑；以及

第一絕緣體層(220)，被形成在所述硅襯底層(210)上方；其中所述第一絕緣體層(220)和所述硅襯底層(210)的所述摻雜劑具有相反的電荷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置(200、300)，包括集成無源器件(IPD)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置(200、300)，還包括：

第一金屬層(230)，其中所述第一絕緣體層(220)包括被布置在所述硅襯底層(210)和所述第一金屬層(230)之間的鈍化層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置(200、300)，還包括：

第二絕緣體層(240)和第二金屬層(231)，其中所述第二絕緣體層(240)被布置在所述第一金屬層(230)和所述第二金屬層(231)之間，并且所述第二金屬層(231)被布置在所述第一金屬層(230)上方。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置(200、300)，還包括：

第三絕緣體層(211)和第三金屬層(250、251)，其中所述第三絕緣體層(211)的至少一部分被布置在所述第二金屬層(231)和所述第三金屬層(250、251)之間，并且所述第三金屬層(250、251)被布置在所述第二金屬層(231)上方。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置(200、300)，還包括：

至少一個阻擋層，在至少一個金屬層(230、231、250、251)的表面上延伸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置(200、300)，其中至少一個絕緣體層(220、240、211、312)包括原子層沉積(ALD)生長的氧化鋁層或等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積(PECVD)層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置(200、300)，其中第一絕緣體層(220)包括被布置在所述硅襯底層(210)上方的負(fù)靜電荷原子層沉積(ALD)生長的氧化鋁層，其中所述硅襯底層(210)的所述摻雜劑為p型。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置(200、300)，其中所述至少一個絕緣體層(220)的靜電荷被配置為在所述至少一個絕緣體層(220)和所述硅襯底層(210)之間的界面處產(chǎn)生耗盡區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置(200，300)，其中所述至少一個絕緣體層(220)的靜電荷被配置為在所述至少一個絕緣體層(220)和所述硅襯底層(210)之間的界面處產(chǎn)生累積區(qū)域。

11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置(300)，還包括：

第四絕緣體層(312)，被布置在所述第三絕緣體層(211)上方，所述第四絕緣體層(312)被配置為至少部分地覆蓋所述第三金屬層(250、251)的元件并且在所述第三金屬層(250、251)的所述元件之間水平地延伸。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置(300)，還包括：

至少一個導(dǎo)電焊盤(350)，通過所述第四絕緣體層(312)被連接到所述至少一個金屬層(230、231、250、251)元件，所述至少一個導(dǎo)電焊盤(350)被配置為提供到所述半導(dǎo)體裝置(300)的外部連接。