[發明專利]晶片切割過程中顆粒污染的減輕

有效

• 申請號: 201880045337.0
• 申請日: 2018-05-11
• 公開（公告）號: CN110998826B
• 公開（公告）日: 2023-09-22
• 發明（設計）人: 類維生;樸懷生;艾杰伊·庫瑪;布拉德·伊頓
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/76;H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種切割在其上具有多個集成電路的晶片的方法，所述方法包括：

將所述晶片切割成多個單切裸片，所述多個單切裸片設置在切割帶上；

在將所述晶片切割成所述多個單切裸片之后，在所述切割帶上的所述多個單切裸片上方和之間形成材料層；及

使所述切割帶擴展，其中在所述擴展的步驟期間在所述材料層上收集多個顆粒。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述多個顆粒的來源是所述晶片的圍繞所述多個單切裸片的一部分。

3.根據權利要求1所述的方法，所述方法進一步包括：

用液體介質去除所述材料層和所述多個顆粒。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述材料層是水溶性材料層，并且所述材料層和所述多個顆粒用水性介質去除。

5.根據權利要求4所述的方法，其中在將所述晶片切割成所述多個單切裸片的期間中將水溶性掩模設置在所述晶片上，并且其中在用所述水性介質去除所述水溶性材料層的步驟期間去除所述水溶性掩模。

6.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述材料層的步驟包括形成水溶性材料層。

7.根據權利要求6所述的方法，所述方法進一步包括：

在使所述切割帶擴展之前烘烤所述水溶性材料層。

8.根據權利要求6所述的方法，其中形成所述水溶性材料層的步驟包括形成選自由以下項組成的群組中的材料：聚乙烯醇、聚丙烯酸、葡聚糖、聚甲基丙烯酸、聚乙烯亞胺及聚環氧乙烷。

9.根據權利要求6所述的方法，其中所述水溶性材料層在水溶液中的蝕刻速率在每分鐘1-15微米的范圍內。

10.根據權利要求6所述的方法，其中形成所述水溶性材料層的步驟包括旋涂所述水溶性材料層。

11.根據權利要求1所述的方法，其中將所述晶片切割成所述多個單切裸片的步驟包括使用激光燒蝕工藝或使用激光劃片加上等離子體蝕刻混合切割工藝。

12.根據權利要求1所述的方法，其中所述切割帶容納在框架中。

13.一種切割的晶片裝置，所述裝置包括：

多個單切裸片，所述多個單切裸片設置在擴展的切割帶上；

水溶性掩模，所述水溶性掩模設置在所述多個單切裸片中的每一個上；

水溶性材料層，所述水溶性材料層設置在所述擴展的切割帶上的所述多個單切裸片上方和之間，其中所述水溶性掩模在所述多個單切裸片中的每一個的頂表面與所述水溶性材料層之間；及

多個顆粒，所述多個顆粒在所述水溶性材料層上。

14.根據權利要求13所述的裝置，其中所述水溶性材料層包括選自由以下項組成的群組中的材料：聚乙烯醇、聚丙烯酸、葡聚糖、聚甲基丙烯酸、聚乙烯亞胺和聚環氧乙烷。