[發(fā)明專利]泵送線布置中的改進(jìn)或與其相關(guān)的改進(jìn)有效
申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880045121.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-07-03 |
公開(公告)號(hào): | CN110869528B | 公開(公告)日: | 2021-12-17 |
發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | A.J.西利 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 愛德華茲有限公司 |
主分類號(hào): | C23C16/44 | 分類號(hào): | C23C16/44;C23C16/455;F04C19/00;F04C25/02;F04B41/00;H01L21/02;H01L21/205;H01L21/67 |
代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 孫鵬;劉春元 |
地址: | 英國(guó)西薩*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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摘要: | |||
搜索關(guān)鍵詞: | 泵送線 布置 中的 改進(jìn) 與其 相關(guān) | ||
1.一種用于在半導(dǎo)體制造組件中使用的泵送線布置,其包括:
腔室連接線,其流體地可連接到形成半導(dǎo)體制造工具的一部分的過(guò)程腔室,在所述過(guò)程腔室內(nèi)執(zhí)行至少兩個(gè)過(guò)程步驟;以及
閥模塊,其流體地連接到所述腔室連接線,所述閥模塊將所述腔室連接線分成相應(yīng)的第一和第二泵送線,所述第一泵送線旨在載送第一過(guò)程步驟排氣流,并且所述第二泵送線旨在載送與所述第一過(guò)程步驟排氣流不相容的第二過(guò)程步驟排氣流,
所述第一泵送線或所述第二泵送線中的至少一個(gè)包括流體地連接在其內(nèi)的預(yù)減少模塊,所述預(yù)減少模塊被配置成從旨在由其它泵送線載送的過(guò)程步驟排氣流中去除一個(gè)或多個(gè)不相容的過(guò)程步驟排氣組分,
進(jìn)一步包括第一主減少模塊和第二主減少模塊,并且所述第一泵送線與被配置成使所述第一過(guò)程流減少的所述第一主減少模塊流體地連接,并且所述第二泵送線與被配置成使所述第二過(guò)程流減少的所述第二主減少模塊流體地連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的泵送線布置,其中所述預(yù)減少模塊或每個(gè)預(yù)減少模塊流體地連接在緊接在所述閥模塊下游的對(duì)應(yīng)泵送線內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的泵送線布置,其中所述第一泵送線包括流體地連接在其內(nèi)的第一預(yù)減少模塊,所述第一預(yù)減少模塊被配置成從所述第二過(guò)程流中去除一個(gè)或多個(gè)不相容的過(guò)程步驟排氣組分,并且其中所述第二泵送線包括流體地連接在其內(nèi)的第二預(yù)減少模塊,所述第二預(yù)減少模塊被配置成從所述第一過(guò)程流中去除一個(gè)或多個(gè)不相容的過(guò)程步驟排氣組分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的泵送線布置,其中所述第一泵送線定義了旨在載送沉積過(guò)程流的沉積泵送線,所述第二泵送線定義了旨在載送清潔過(guò)程流的清潔泵送線,并且其中所述第一預(yù)減少模塊被配置成從所述清潔過(guò)程流中去除一個(gè)或多個(gè)不相容的過(guò)程步驟排氣組分,并且所述第二預(yù)減少模塊被配置成從所述沉積過(guò)程流中去除一個(gè)或多個(gè)不相容的過(guò)程步驟排氣組分。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的泵送線布置,其中所述第一預(yù)減少模塊包括除氟劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的泵送線布置,其中所述除氟劑是或者包括:
碳酸鈣;和/或
硅。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的泵送線布置,其中所述第二預(yù)減少模塊包括氟化劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的泵送線布置,其中所述氟化劑是或者包括:
過(guò)渡金屬氟化物;和/或
四氟鈷酸鉀。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的泵送線布置,其中所述過(guò)渡金屬氟化物是或者包括:
氟化鈷(III);和/或
氟化鐵(氟化鐵(III))。
10.一種包括根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的泵送線布置的真空泵送系統(tǒng),其中所述主減少模塊中的每一個(gè)定位在對(duì)應(yīng)上游預(yù)減少模塊的下游。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的真空泵送系統(tǒng),包括:
根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的多個(gè)泵送線布置,其中所述腔室連接線流體地可連接到形成一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體制造工具的一部分的相應(yīng)過(guò)程腔室;
第一共同泵送線,其與所述第一主減少模塊和所述泵送線布置的第一泵送線流體連接;以及
第二共同泵送線,其與所述第二主減少模塊和所述泵送線布置的第二泵送線流體連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的真空泵送系統(tǒng),其中所述第一共同泵送線與第一真空泵送布置流體連接,并且所述第二共同泵送線與第二真空泵送布置流體連接。
13.一種包括半導(dǎo)體制造工具的半導(dǎo)體制造組件,所述半導(dǎo)體制造工具包括至少一個(gè)處理腔室,所述處理腔室具有根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一個(gè)的與其流體地連接的泵送線布置。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的