[發(fā)明專利]抗蝕劑下層膜形成用組合物

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880045116.3
• 申請日: 2018-08-14
• 公開（公告）號(hào): CN110869852A
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 緒方裕斗;臼井友輝;遠(yuǎn)藤雅久;岸岡高廣
• 申請（專利權(quán)）人: 日產(chǎn)化學(xué)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03F7/11
• 分類號(hào): G03F7/11;G03F7/20;H01L21/027
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 馬妮楠;段承恩

1.一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含具有下述式(1)所示的結(jié)構(gòu)單元的共聚物和溶劑，

在所述式中，X表示碳原子數(shù)2～10的二價(jià)鏈狀烴基，該二價(jià)鏈狀烴基可以在主鏈具有至少1個(gè)硫原子或氧原子，此外可以具有至少1個(gè)羥基作為取代基，R表示碳原子數(shù)1～10的鏈狀烴基，2個(gè)n分別表示0或1。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述共聚物為下述式(2)所示的二硫醇化合物與下述式(3)所示的二縮水甘油基醚化合物或二縮水甘油基酯化合物的反應(yīng)生成物，

在所述式中，X、R和2個(gè)n與所述式(1)的定義含義相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，其進(jìn)一步包含交聯(lián)性化合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，其進(jìn)一步包含熱產(chǎn)酸劑。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，其進(jìn)一步包含表面活性劑。

6.一種用于制造半導(dǎo)體裝置的光致抗蝕劑圖案的形成方法，其包含下述工序：將權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物涂布在表面具有凹部的半導(dǎo)體基板上，然后進(jìn)行烘烤而形成至少填埋該凹部內(nèi)的抗蝕劑下層膜的工序；在所述抗蝕劑下層膜上形成光致抗蝕劑層的工序；將被所述抗蝕劑下層膜和所述光致抗蝕劑層被覆了的所述半導(dǎo)體基板曝光的工序；在所述曝光后將所述光致抗蝕劑層顯影的工序。