[發(fā)明專利]在陶瓷制成的載體層中制造過孔的方法和含過孔的載體層

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880044855.0
• 申請(qǐng)日: 2018-07-04
• 公開（公告）號(hào): CN110870394A
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 卡斯滕·施密特;斯特凡·布里廷;安德烈亞斯·邁爾;雷納·赫爾曼;馬丁·雷格
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 羅杰斯德國(guó)有限公司
• 主分類號(hào): H05K3/40
• 分類號(hào): H05K3/40;H05K1/03;H05K1/09;H05K3/12;H05K3/46;H05K1/16
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 張春水;丁永凡

1.一種用于在由陶瓷制成的載體層(1)中制造過孔(3)的方法，包括：

-提供所述載體層(1)；

-在所述載體層(1)中實(shí)現(xiàn)穿通留空部(2)；

-用膏(3)至少部分地填充所述穿通留空部(2)；以及

-執(zhí)行接合法，用于將金屬化部(5)接合到所述載體層(1)上，尤其執(zhí)行活性焊接法或DCB法，

其中在執(zhí)行所述接合法時(shí)由所述膏(3)在所述穿通留空部(2)中實(shí)現(xiàn)過孔(3’)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中通過所述方法設(shè)定所述過孔(3’)的特定的電阻。

3.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，

其中通過設(shè)定所述接合法的一個(gè)或多個(gè)工藝參數(shù)來設(shè)定所述過孔(3’)的電阻。

4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，

其中用膏(3)覆蓋所述穿通留空部(2)的內(nèi)側(cè)(9)，其中優(yōu)選至少部分地，優(yōu)選完全地填充所述穿通留空部(2)。

5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，

其中所述過孔(3’)構(gòu)成為所述穿通留空部(2)的內(nèi)側(cè)(9)的具有覆層厚度(D1)的覆層，其中所述接合法配置為，使得出現(xiàn)特定的覆層厚度。

6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，

其中使用具有添加材料的膏(2)，所述膏尤其具有降低所述膏的熔化溫度的添加材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，

其中所述添加材料包括銦、錫和/或鎵，優(yōu)選具有0.1重量％至20重量％的濃度，優(yōu)選具有0.25重量％至15重量％的濃度，并且特別優(yōu)選具有0.5重量％至10重量％的濃度。

8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，

其中將所述膏(3)的金屬組成部分借助于印刷法，尤其3D印刷法，和/或絲網(wǎng)印刷法和/或刮板印刷法涂覆。

9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，

其中所述穿通留空部(2)具有在0.01mm和5mm之間，優(yōu)選在0.03mm和2.5mm之間并且特別優(yōu)選在0.05mm和2mm之間的直徑(D2)或等效橫截面。

10.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，

其中用所述膏(3)部分地填充所述穿通留空部(2)，其中所述穿通留空部在時(shí)間上在所述接合法之前優(yōu)選在20％和90％之間，優(yōu)選在40％和80％之間并且特別優(yōu)選在60％和75％之間是填充的。

11.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，

其中所述穿通留空部(2)在所述接合法之后部分地由導(dǎo)電材料填充，其中所述穿通留空部(2)在時(shí)間上在所述接合法之前優(yōu)選在20％和80％之間，優(yōu)選在40％和75％之間并且特別優(yōu)選在60％和70％之間是填充的。

12.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，

其中所述穿通留空部(2)錐形地成形。

13.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，

其中將所述膏(3)

-設(shè)置在所述載體層(1)上和/或配置為，

使得在所述穿通留空部(2)的邊緣上設(shè)置的膏在所述接合法期間從所述載體層(1)流入到所述穿通留空部(2)中，和/或

-借助于絲網(wǎng)印刷法設(shè)置在所述穿通留空部(1)中。

14.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，

其中所述膏(3)中的導(dǎo)電材料占全部膏(3)的比值具有在0.2和0.8之間，優(yōu)選在0.35和0.75之間并且特別優(yōu)選在0.4和0.6之間的值。

15.一種具有過孔(3’)的載體層(1)，其尤其借助根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法制造，所述載體層包括：

-包括陶瓷的載體層(1)和

-引入到所述載體層(1)中的穿通留空部，

其中所述穿通留空部(2)至少部分地用金屬填充，使得能夠有助于導(dǎo)電，優(yōu)選在20％和100％之間，優(yōu)選在40％和100％之間并且特別優(yōu)選在60％和100％之間是填充的。