[發明專利]具有選擇性基于頁面刷新的存儲器裝置

在審

• 申請號: 201880044604.2
• 申請日: 2018-07-17
• 公開（公告）號: CN110832468A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: A·D·阿克勒
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本文揭示具有選擇性基于頁面刷新的存儲器裝置及系統的若干實施例。在一個實施例中，一種存儲器裝置包含控制器，其可操作地耦合到具有包括多個存儲器頁面的至少一個存儲器區域的主存儲器。所述控制器經配置以在存儲于所述存儲器裝置及/或主機裝置上的一或多個刷新調度表中跟蹤具有刷新調度的所述多個存儲器頁面中的存儲器頁面子集。在一些實施例中，所述控制器經進一步配置以根據所述刷新調度來刷新所述存儲器頁面子集。

技術領域

所揭示的實施例涉及存儲器裝置及系統，且特定來說，所揭示的實施例涉及具有選擇性具有頁面刷新的存儲器裝置。

背景技術

存儲器裝置常作為內部半導體集成電路及/或外部可移除裝置提供于計算機或其它電子裝置中。存在包含易失性及非易失性存儲器的許多不同類型的存儲器。易失性存儲器需要施加電源來保存其數據且可用于各種技術中，其尤其包含隨機存取存儲器(RAM)、動態隨機存取存儲器(DRAM)及同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)。易失性存儲器存儲在操作期間由存儲器控制器頻繁存取的信息，且其通常展現比非易失性存儲器快的讀取及/或寫入時間。相比來說，非易失性存儲器即使未被外部供電也可保存其存儲數據。非易失性存儲器還可用于各種技術中，其尤其包含快閃存儲器(例如NAND及NOR)、相變存儲器((PCM)、電阻式隨機存取存儲器(RRAM)、鐵電隨機存取存儲器(FeRAM或FRAM)。

一些非易失性存儲器技術(例如鐵電存儲器、聚合物存儲器等等)的缺點是：當其存儲器單元長時間保持相同數據狀態時，這些技術會遭受壓印。當數據狀態壓印到存儲器單元中時，存儲器單元趨向于保存所述數據狀態，即使存儲器控制器試圖擦除存儲器單元及/或將其編程到不同數據狀態。因此，這些易壓印存儲器技術必須周期性刷新(例如通過改變存儲器單元的極性及/或數據狀態)以防止數據狀態壓印到存儲器單元中。然而，這些非易失性存儲器技術所需的刷新次數會消耗存儲器的大量能量及大量有效時間，尤其當存儲器技術變得更密集時。

附圖說明

圖1是具有根據本發明的實施例所配置的存儲器裝置的系統的框圖。

圖2A及2B是說明根據本發明的若干實施例的選擇性基于頁面刷新的表。

圖3A及3B是說明根據本發明的若干實施例的選擇性基于頁面刷新的表。

圖4A到4B是說明根據本發明的實施例的操作存儲器裝置的方法的流程圖。

圖5A到5B是說明根據本發明的實施例的操作存儲器裝置的額外方法的流程圖。

圖6是根據本發明的實施例的包含存儲器裝置的系統的示意圖。

具體實施方式

如下文將更詳細描述，本發明涉及具有選擇性基于頁面刷新的存儲器裝置及相關系統。然而，所屬領域的技術人員應了解，本發明可具有額外實施例且可在無下文將參考圖1到6描述的實施例的若干細節的情況下實踐本發明。在下文將說明的實施例中，主要在并入鐵電存儲媒體的裝置的背景中描述存儲器裝置。然而，根據本發明的其它實施例所配置的存儲器裝置可包含其它類型的存儲媒體，例如NAND、NOR、PCM、RRAM、MRAM、只讀存儲器(ROM)、可擦除可編程ROM(EROM)、電可擦除可編程ROM(EEROM)及包含易失性存儲媒體的其它存儲媒體。

本發明的一個實施例是一種存儲器裝置，其包括控制器及主存儲器。所述主存儲器包含具有多個存儲器頁面的存儲器區域。所述控制器可操作地耦合到所述主存儲器且經配置以跟蹤分別具有第一壓印刷新調度及第二刷新壓印刷新調度的所述主存儲器中的所述多個存儲器頁面的第一子集及第二子集。所述控制器經進一步配置以根據所述對應第一壓印刷新調度及第二壓印刷新調度來刷新所述多個存儲器頁面的所述第一子集及所述第二子集。