[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光元件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880044580.0
• 申請(qǐng)日: 2018-07-06
• 公開（公告）號(hào): CN110870088A
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 松島敏則;安達(dá)千波矢;秦川江;S·D·A·桑達(dá)納亞卡;F·本切克;小蓑剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 九州有機(jī)光材股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 沈娥;褚瑤楊

1.一種有機(jī)發(fā)光元件，其具有厚度為50nm以上的鈣鈦礦層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件，其中，

所述鈣鈦礦層的載流子遷移率為10^-2～10³cm²V^-1s^-1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)發(fā)光元件，其還具有發(fā)光層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光元件，其具有至少2層所述鈣鈦礦層，并且具有在2層所述鈣鈦礦層之間夾入所述發(fā)光層的結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的有機(jī)發(fā)光元件，其中，

所述鈣鈦礦層在所述發(fā)光層的發(fā)光波長區(qū)域中不具有200～2000nm處的最大吸收波長。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光元件，其中，

所述鈣鈦礦層含有由下述通式(4)表示的鈣鈦礦型化合物，

A³BX₃ (4)

通式(4)中，A³表示有機(jī)陽離子，B表示2價(jià)的金屬離子，X表示鹵離子，3個(gè)X彼此可以相同也可以不同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光元件，其中，

所述鈣鈦礦層為蒸鍍膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光元件，其中，

所述鈣鈦礦層的厚度為50～10000nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光元件，其為有機(jī)電致發(fā)光元件。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光元件，其具有：

陽極與陰極；設(shè)置于所述陽極與所述陰極之間的發(fā)光層；設(shè)置于所述陽極與所述發(fā)光層之間的第1鈣鈦礦層；及設(shè)置于所述陰極與所述發(fā)光層之間的第2鈣鈦礦層，

所述第1鈣鈦礦層及所述第2鈣鈦礦層為所述厚度為50nm以上的鈣鈦礦層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光元件，其還具有：

設(shè)置于所述陽極與所述第1鈣鈦礦層之間的空穴注入層；及設(shè)置于所述陰極與所述第2鈣鈦礦層之間的電子注入層。