[發(fā)明專利]用于濾色器應(yīng)用的量子點(diǎn)構(gòu)造

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880044442.2
• 申請(qǐng)日: 2018-07-05
• 公開（公告）號(hào): CN110832052A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 奈杰爾·L·皮克特;詹姆斯·哈里斯;瑪格麗特·海因斯;約瑟夫·泰勒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 納米技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C09K11/02
• 分類號(hào): C09K11/02;C01B25/08;C09K11/56;C09K11/70;C09K11/88;G02F1/13;G09G3/36
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 吳勝周

1.一種量子點(diǎn)，所述量子點(diǎn)包括：

內(nèi)核；

基本上包圍所述內(nèi)核的層；以及

6-巰基己醇(MCH)和2-[2-(2-甲氧基乙氧基)-乙氧基]-乙酸(MEEAA)加帽配體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)，其中所述層主要由直接帶隙半導(dǎo)體組成，所述直接帶隙半導(dǎo)體吸收波長在約430nm至約470nm之間的光。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的量子點(diǎn)，其中所述內(nèi)核包含銦和磷。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的量子點(diǎn)，其中所述內(nèi)核包含InP的合金化或摻雜衍生物。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的量子點(diǎn)，其中所述內(nèi)核包含InPZnS。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的量子點(diǎn)，其中所述內(nèi)核包含InPZnSeS。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的量子點(diǎn)，其中所述層包含金屬硫?qū)倩铩?/p>

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的量子點(diǎn)，其中所述金屬硫?qū)倩锸荶nS、ZnSe、ZnSeS和ZnO中的任一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的量子點(diǎn)，其中基本上包圍所述內(nèi)核的所述層包括三個(gè)以上且小于或等于十五個(gè)的單層。

10.一種組合物，所述組合物包含分散在丙二醇單乙醚乙酸酯(PGMEA)中的多個(gè)根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的量子點(diǎn)。

11.一種量子點(diǎn)，所述量子點(diǎn)包括：

內(nèi)核，所述內(nèi)核包含銦并且具有第一帶隙；

第一層，所述第一層基本上包圍所述內(nèi)核并且包含具有比所述第一帶隙更大的第二帶隙的第一金屬硫?qū)倩铮缓?/p>

在所述第一層上的第二層，所述第二層包含具有比所述第二帶隙更大的第三帶隙的第二金屬硫?qū)倩铮?/p>

其中所述第一層包括三個(gè)以上且小于或等于十五個(gè)的所述第一金屬硫?qū)倩锏膯螌印?/p>

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的量子點(diǎn)，其中所述量子點(diǎn)具有棒內(nèi)點(diǎn)型構(gòu)造。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的量子點(diǎn)，其中所述內(nèi)核從所述棒的中心縱向地移位。

14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中任一項(xiàng)所述的量子點(diǎn)，其中所述內(nèi)核還包含磷。

15.根據(jù)權(quán)利要求11至14中任一項(xiàng)所述的量子點(diǎn)，其中所述內(nèi)核包含InP的合金化或摻雜衍生物。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的量子點(diǎn)，其中所述內(nèi)核包含InPZnS。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的量子點(diǎn)，其中所述內(nèi)核包含InPZnSeS。

18.根據(jù)權(quán)利要求11至17中任一項(xiàng)所述的量子點(diǎn)，其中所述第一金屬硫?qū)倩锖偷诙饘倭驅(qū)倩镏械闹辽僖环N是ZnS、ZnSe、ZnSeS和ZnO中的任一種。

19.一種量子點(diǎn)-量子阱半導(dǎo)體納米粒子，所述量子點(diǎn)-量子阱半導(dǎo)體納米粒子包括：

內(nèi)核，所述內(nèi)核包含具有第一帶隙的第一金屬硫?qū)倩铮?/p>

第一層，所述第一層基本上包圍所述內(nèi)核，并且包含銦且具有比所述第一帶隙更小的第二帶隙；

第二層，所述第二層基本上包圍所述第一層，并且包含第二金屬硫?qū)倩锴揖哂谢旧系扔谒龅谝粠兜牡谌龓叮?/p>

第三層，所述第三層基本上包圍所述第二層，并且包含具有比所述第一帶隙和所述第二帶隙更大的第三帶隙的第三金屬硫?qū)倩铮?/p>

其中所述第二層包括三個(gè)以上且小于或等于十五個(gè)的所述第一金屬硫?qū)倩锏膯螌印?/p>