[發明專利]光照射裝置有效
| 申請號: | 201880044356.1 | 申請日: | 2018-07-10 |
| 公開(公告)號: | CN110831708B | 公開(公告)日: | 2022-08-23 |
| 發明(設計)人: | 山森賢治;尾又清登 | 申請(專利權)人: | 優志旺電機株式會社 |
| 主分類號: | B08B7/00 | 分類號: | B08B7/00;B08B11/00 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 任玉敏 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 照射 裝置 | ||
本發明的課題在于提供一種能夠與被處理體的輸送速度無關地以較高的穩定性進行光清洗的光照射裝置。本發明的光照射裝置是對沿著輸送路徑輸送的帶狀的被處理體(W)的一個面照射紫外線的光照射裝置,其特征在于,沿著輸送路徑中的被處理體(W)的一面側的通過平面具有開口(12H)的燈罩(12)、設置于所述燈罩(12)內的、沿所述被處理體(W)的寬度方向延伸的紫外線燈(11)、和沿著所述輸送路徑中的被處理體(W)的另一面側的通過平面具有開口(13H)的排氣空間形成部件(13),上述處理空間用氣體為主要成分的惰性氣體中混入有含有氧的氣體和/或水分的氣體,在所述燈罩(12)的開口(12H)上設置有與所述被處理體(W)的兩側緣部之間形成氣體流通阻礙用狹路(G)的遮蔽體。
技術領域
本發明涉及對沿著輸送路徑輸送的帶狀的被處理體的一個面照射紫外線的光照射裝置。
背景技術
作為半導體、液晶等的制造工序中的抗蝕劑的光灰化處理、納米壓印裝置中的模板的圖案面附著的抗蝕劑的去除、或液晶用的玻璃基板、硅晶片等的干式清洗處理、通過清洗卷繞于輥的片狀的膜的貼合面而進行的表面改性處理,已知有照射紫外線的方法。
作為用于照射這樣的紫外線的光照射裝置,例如在專利文獻1中公開了如下裝置,對被處理物照射真空紫外線,利用該真空紫外線及由該真空紫外線產生的臭氧、羥基自由基的清洗作用來去除被處理物的表面的污染物。
圖18是示意性地表示以往的光照射裝置的一例的、被處理體的輸送方向的截面圖。
該光照射裝置在燈罩52的內部,在與光照射口53A平行的面上以相互平行地延伸的方式配設有多個準分子燈51,該燈罩52包括開口有光照射口53A的基座部件53和在該基座部件53的上側(圖18中的上側)以覆蓋光照射口53A的方式配置的整體成為長方體的箱狀的外裝罩54。在該光照射裝置中,沿著輸送路徑由輥式輸送機等輸送單元58搬入被處理體W,在照射紫外線的燈罩52的光照射口53A的正下方的處理區域中,來自準分子燈51的紫外線照射到被處理體W的一面(圖18中的上表面)。
真空紫外線具有被大氣中的氧吸收而大幅衰減的性質,因此,以往,對于這樣的光照射裝置,從外部向準分子燈51與被處理體W之間的紫外線放射空間供給氮氣等惰性氣體,從而去除該紫外線放射空間中的清洗所需的量以上的過剩的氧來抑制真空紫外線的衰減。惰性氣體例如從設于燈罩52內的準分子燈51的背后側(圖18中上側)的氣體供給管56的氣體供給口56H噴出,將紫外線放射空間置換為惰性氣體氣氛。
此外,在圖18中,59是在內部設有供冷卻用的流體流通的配管59A的冷卻用塊。
如上所述,在準分子燈51與被處理體W之間的紫外線放射空間中,從外部供給惰性氣體而去除該紫外線放射空間中的清洗所需的量以上的過剩的氧。另一方面,已知:若在氧濃度極端低的氣氛下照射真空紫外線,則臭氧的產生量變得極少,因此基于臭氧的被處理體的表面的活化作用不起作用,反而光清洗的效果降低。
另外,在利用干燥的惰性氣體將紫外線放射空間過量地置換,在濕度極低的氣氛下照射真空紫外線的情況下,羥基自由基等活性種的產生量也極少,因此被處理體的表面的清洗效果降低。
為了解決這樣的問題,例如在專利文獻1所記載的光照射裝置中,向紫外線放射空間供給使水分混入于惰性氣體而成的物質。
具體而言,將通過由氣瓶等構成的氮氣供給源干燥的氮氣供給至加濕裝置,在該加濕裝置中生成絕對濕度被調整為規定的范圍的加濕氮氣,該加濕氮氣經由氣體供給管56的氣體供給口56H供給至紫外線放射空間。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2008-43925號公報
發明內容
發明所要解決的課題
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