[發(fā)明專利]具有DC端子的同軸布置的半橋模塊

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880044227.2
• 申請(qǐng)日: 2018-04-30
• 公開（公告）號(hào): CN110785842B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: F.莫恩;F.特勞布;J.舒德雷爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日立能源瑞士股份公司;奧迪股份公司
• 主分類號(hào): H01L25/07
• 分類號(hào): H01L25/07;H01L23/498;H01L23/538
• 代理公司: 北京市漢坤律師事務(wù)所 11602
• 代理人: 張濤;吳麗麗

1.一種半橋模塊（10），包括：

基板（12），所述基板（12）具有被劃分為第一DC傳導(dǎo)區(qū)域（16）、第二DC傳導(dǎo)區(qū)域（20）和AC傳導(dǎo)區(qū)域（18）的底部金屬化層（14）；

至少一個(gè)第一功率半導(dǎo)體開關(guān)芯片（22），所述至少一個(gè)第一功率半導(dǎo)體開關(guān)芯片（22）接合到所述第一DC傳導(dǎo)區(qū)域（16），并且與所述AC傳導(dǎo)區(qū)域（18）電互連；

至少一個(gè)第二功率半導(dǎo)體開關(guān)芯片（22），所述至少一個(gè)第二功率半導(dǎo)體開關(guān)芯片（22）接合到所述AC傳導(dǎo)區(qū)域（18），并且與所述第二DC傳導(dǎo)區(qū)域（20）電互連；

同軸端子布置（35），所述同軸端子布置（35）包括至少一個(gè)內(nèi)部DC端子（38）、至少一個(gè)第一外部DC端子（36）和至少一個(gè)第二外部DC端子（40）；

其中所述至少一個(gè)內(nèi)部DC端子（38）、所述至少第一外部DC端子（36）和所述至少一個(gè)第二外部DC端子（40）從所述模塊（10）突出，并且被布置成排，使得所述至少一個(gè)內(nèi)部DC端子（38）同軸地布置在所述至少一個(gè)第一外部DC端子（36）和所述至少一個(gè)第二外部DC端子（40）之間；

其中所述至少一個(gè)內(nèi)部DC端子（38）電連接到所述第二DC傳導(dǎo)區(qū)域（20）；

其中所述至少一個(gè)第一外部DC端子（36）和所述至少一個(gè)第二外部DC端子（40）電連接到所述第一DC傳導(dǎo)區(qū)域（16）；

其中所述至少一個(gè)第一外部DC端子（36）和所述至少一個(gè)第二外部DC端子（40）通過導(dǎo)電橋接元件（52、70）電互連，所述導(dǎo)電橋接元件（52、70）適于在所述至少一個(gè)第一外部DC端子（36）和所述至少一個(gè)第二外部DC端子（40）之間分配負(fù)載電流的至少一半；

其中具有升高的金屬化層（56、70）的絕緣基板（54、68）附接到所述底部金屬化層（14）；

其中所述橋接元件由所述第一DC傳導(dǎo)區(qū)域（16）的所述升高的金屬化層（56）下方的橋接部分（52）或所述升高的金屬化層（70）提供。

2.如權(quán)利要求1所述的半橋模塊（10），

其中所述橋接元件（52、70）布置在所述模塊（10）的殼體（80）內(nèi)部，所述基板（12）和所述半導(dǎo)體芯片（22）被容納在所述殼體（80）中；

其中所述殼體是模制封裝。

3.如權(quán)利要求1或2所述的半橋模塊（10），

其中所述至少一個(gè)第一和/或第二功率半導(dǎo)體開關(guān)芯片（22）是Si芯片；

其中提供續(xù)流二極管的多個(gè)功率半導(dǎo)體芯片（24）接合到所述第一DC傳導(dǎo)區(qū)域（16）和所述AC傳導(dǎo)區(qū)域（18）。

4.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的半橋模塊（10），

其中所述至少一個(gè)第一外部DC端子（36）和所述至少一個(gè)第二外部DC端子（40）接合到所述橋接部分（52）。

5.如權(quán)利要求4所述的半橋模塊（10），

其中所述至少一個(gè)內(nèi)部DC端子（38）接合到所述升高的金屬化層（56）。

6.如權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的半橋模塊（10），

其中所述至少一個(gè)第一外部DC端子（36）接合到所述第一DC傳導(dǎo)區(qū)域（16）；

其中所述至少一個(gè)第二外部DC端子（40）接合到所述底部金屬化層（14）的與所述第一DC傳導(dǎo)區(qū)域（16）分離的輔助傳導(dǎo)區(qū)域（66）。

7.如權(quán)利要求6所述的半橋模塊（10），

其中所述升高的金屬化層（70）附接在所述第二DC傳導(dǎo)區(qū)域（20）上方；

其中所述升高的金屬化層（70）與所述第一DC傳導(dǎo)區(qū)域（16）電互連并且與所述輔助傳導(dǎo)區(qū)域（66）電互連。

8.如權(quán)利要求6或7所述的半橋模塊（10），

其中所述至少一個(gè)內(nèi)部DC端子（38）接合到所述第二DC傳導(dǎo)區(qū)域（20）的部分（50），所述部分（50）在所述橋接元件（70）下方被引導(dǎo)。