[發明專利]光學接近感測電路和用于光學接近感測的方法在審
| 申請號: | 201880044155.1 | 申請日: | 2018-07-05 |
| 公開(公告)號: | CN110832344A | 公開(公告)日: | 2020-02-21 |
| 發明(設計)人: | 揚·埃嫩克爾 | 申請(專利權)人: | AMS有限公司 |
| 主分類號: | G01S17/02 | 分類號: | G01S17/02;G01S7/481 |
| 代理公司: | 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 邰鳳珠;劉繼富 |
| 地址: | 奧地利普*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光學 接近 電路 用于 方法 | ||
1.一種光學接近感測電路(1),包括:
-光學發射裝置(10),其準備發送具有不可見光譜的波長的信號(S1),
-光轉換材料(11),其準備將反射信號(S2)轉換成可檢測信號(S3),所述反射信號(S2)取決于信號(S1)從人類用戶(20)的反射,并且可檢測信號(S3)具有可見光譜的波長,以及
-光學接收裝置(12),其與光學發射裝置(10)間隔開布置,但是在光學發射裝置的可視范圍內,并且準備檢測可檢測信號(S3),由此提供測量信號,所述測量信號取決于光學接近感測電路和人類用戶(20)之間的距離,
其中,轉換材料(11)安裝到光學接收裝置(12),并且
其中,信號(S1)、反射信號(S2)和可檢測信號(S3)中的每個是光學信號。
2.根據權利要求1所述的光學接近感測電路(1),
其中所述光轉換材料(11)包括受激反斯托克斯拉曼散射材料。
3.根據權利要求1或2所述的光學接近感測電路(1),
其中所述光學發射裝置(10)包括至少一個發光二極管,所述至少一個發光二極管準備發射波長為約1200nm的光作為信號(S1),或
其中所述光學發射裝置(10)包括垂直腔面發射激光器,所述垂直腔面發射激光器準備發射波長為約1500nm的光作為信號(S1)。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的光學接近感測電路(1),
其中所述光學接收裝置(12)包括對于300nm至1100nm范圍中的光敏感的至少一個光電二極管。
5.根據權利要求4所述的光學接近感測電路(1),
其中所述光電二極管實現為硅光電二極管,所述硅光電二極管摻雜有上轉換材料,所述上轉換材料表示轉換材料(11)。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的光學接近感測電路(1),
還包括安裝在光學發射裝置(10)和光學接收裝置(12)之間的光學屏障(13)。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的光學接近感測電路(1),還包括:
第一濾波器(131),其安裝在轉換材料(11)和光學接收裝置(12)之間,并且準備透射波長為約950nm的光,和/或
第二濾波器(132),其安裝到轉換材料(11),使得反射信號(S2)在到達轉換材料(11)之前穿過第二濾波器(132),所述第二濾波器(132)準備透射波長為1400nm至1500nm的光。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的光學接近感測電路(1),還包括:
第一光學透鏡(151),其安裝到光學發射裝置(10),并且表示用于信號(S1)的光束成形單元,和/或
第二光學透鏡(152),其安裝到轉換材料(11),并且表示用于反射信號(S2)的光束成形單元。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的光學接近感測電路(1),
其中所述光轉換材料(11)是半透明的,
其中所述光學接收裝置(12)相對于光轉換材料(11)布置,使得反射信號(S2)穿過光轉換材料(11)以到達光學接收裝置(12),并且
其中所述光學接近感測電路(1)還包括阻擋層(14),所述阻擋層覆蓋光學接收裝置(12)的表面和光學發射裝置(10)的表面,并且準備阻止可檢測信號(S3)離開光學接近感測電路。
10.根據權利要求1至8中任一項所述的光學接近感測電路(1),
其中所述光轉換材料(11)是反射性的,并且其中所述光學接收裝置(12)相對于轉換材料(11)布置,使得反射信號(S2)穿過光學接收裝置(12)以到達轉換材料(11)。
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