[發明專利]攝像器件和攝像裝置在審
| 申請號: | 201880043501.4 | 申請日: | 2018-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN110809821A | 公開(公告)日: | 2020-02-18 |
| 發明(設計)人: | 澁田宏和 | 申請(專利權)人: | 索尼半導體解決方案公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 甕芳;陳桂香 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 攝像 器件 裝置 | ||
該攝像器件包括:像素區域,所述像素區域中布置有多個像素;周邊區域,所述周邊區域設置在所述像素區域周圍;有機光電轉換層,所述有機光電轉換層從所述像素區域連續設置到所述周邊區域的至少一部分;導電層,所述導電層從所述像素區域的外圍至所述周邊區域設置在所述有機光電轉換層上,并且所述導電層具有遮光特性;以及黑色層,所述黑色層設置在所述導電層上。
技術領域
本發明涉及包括例如有機光電轉換單元的攝像器件以及包括該攝像器件的攝像裝置。
背景技術
在使用有機光電轉換膜的固態攝像器件中,例如,需要用于將電壓施加到上電極的布線。因為可以將布線用作光學黑區域(OB區域)的遮光膜,所以鑒于遮光性能,通常將布線形成為具有約250nm的膜厚度。
然而,有機光電轉換膜對基材(backing)的附著力弱,并且由于在形成作為金屬膜的遮光膜時施加的應力,有機光電轉換膜易于剝離。因此,在專利文獻1中,例如,將保護層作為緩沖材料設置在連接布線與包括p層、n層和電子阻擋層的有機光電轉換膜之間。然而,隨著緩沖材料變厚,因為聚集在片上透鏡上的光在到達光電轉換單元之前進入相鄰的像素而發生混色,或者由于設置在相鄰的像素之間的遮光膜而發生漸暈(vignetting)。因此,擔心諸如加重陰影(aggravated shading)等光學特性劣化。此外,在使用有機光電轉換膜的情況下,盡管金屬遮光膜通常被布置在高于有機光電轉換膜的層上,但是由于來自金屬遮光膜的反射,可能會發生耀斑重影(flare ghost)。
因此,例如,專利文獻2至專利文獻4公開了通過調節遮光膜的布置位置或通過形成耀斑防止膜來改善光學特性的固態攝像裝置。
引用列表
專利文獻
專利文獻1:日本未經審查的專利申請公開第2006-086493號
專利文獻2:日本未經審查的專利申請公開第2011-138927號
專利文獻3:日本未經審查的專利申請公開第2011-176325號
專利文獻4:日本未經審查的專利申請公開第2012-124377號
發明內容
以此方式,存在著改善攝像裝置的光學特性的需求。
期望提供可以改善光學特性的攝像器件和攝像裝置。
根據本發明的實施例的攝像器件包括:像素區域,所述像素區域中布置有多個像素;周邊區域,其設置在所述像素區域周圍;有機光電轉換層,其從所述像素區域連續設置到所述周邊區域的至少一部分;導電層,其從所述像素區域的外圍至所述周邊區域設置在所述有機光電轉換層上;以及黑色層,其設置在所述導電層上。所述導電層具有遮光特性。
根據本發明的實施例的攝像裝置包括作為攝像器件的本發明的上述實施例的攝像器件。
在根據本發明的實施例的攝像器件和根據本實施例的攝像裝置中,黑色層設置在導電層上。導電層從像素區域的外圍至周邊區域設置在有機光電轉換層上,有機光電轉換層從像素區域連續。導電層具有遮光特性。這可以使遮光層變薄以降低其應力。
在根據本發明的實施例的攝像器件和根據本實施例的攝像裝置中,黑色層還設置在導電層上。導電層從像素區域的外圍至周邊區域設置在有機光電轉換層上。導電層具有遮光特性。這可以減小導電層的厚度,并且降低了導電層的應力。因此,可以減小緩沖層的膜厚度,并且可以改善光學特性。緩沖層設置在有機光電轉換層上,并且緩沖層減輕了導電層的應力。
需要注意,本文中所述的效果不一定是限制性的,而是可以包括本發明中所述的任一效果。
附圖說明
圖1是圖示了根據本發明的第一實施例的攝像器件的截面構造的示意圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





