[發(fā)明專利]半導體裝置、半導體晶片、存儲裝置及電子設備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880042866.5 | 申請日： | 2018-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN110832640A | 公開（公告）日： | 2020-02-21 |
| 發(fā)明（設計）人： | 山崎舜平;木村肇 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L27/11582 | 分類號： | H01L27/11582;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/088;H01L27/11556;H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 劉倜 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 晶片 存儲 電子設備 | ||
1.一種半導體裝置，包括：第一至第四絕緣體、第一導電體、第二導電體、以及第一半導體，
其中，所述第一半導體包括第一面及第二面，
所述第一絕緣體的第一側面及第二側面位于隔著所述第一導電體與所述第一半導體的所述第一面重疊的區(qū)域，
所述第一導電體的第一側面位于所述第一半導體的所述第一面，
所述第一絕緣體的第一側面位于所述第一導電體的第二側面，
所述第二絕緣體位于包括所述第一絕緣體的第二側面、所述第一絕緣體的頂面、所述第一導電體的頂面及所述第一半導體的所述第二面的區(qū)域，
所述第三絕緣體位于形成有所述第二絕緣體的區(qū)域中的與所述第一半導體的所述第二面重疊的區(qū)域，
所述第四絕緣體位于所述第三絕緣體的形成面及隔著所述第二絕緣體與所述第一半導體的所述第一面重疊的區(qū)域，
所述第二導電體位于形成有所述第四絕緣體的區(qū)域中的與所述第一半導體的所述第二面重疊的區(qū)域，
所述第三絕緣體具有儲存電荷的功能，
通過對所述第二導電體供應電位，在所述第一半導體的所述第二面和所述第三絕緣體之間隔著第二絕緣體引起隧道電流。
2.一種半導體裝置，包括：
第一至第四絕緣體、第一導電體、第二導電體、第一半導體及第二半導體，
其中，所述第一半導體包括第一面及第二面，
所述第一絕緣體的第一側面及第二側面位于隔著所述第一導電體與所述第一半導體的所述第一面重疊的區(qū)域，
所述第一導電體的第一側面位于所述第一半導體的所述第一面，
所述第一絕緣體的第一側面位于所述第一導電體的第二側面，
所述第二絕緣體位于包括所述第一絕緣體的第二側面、所述第一絕緣體的頂面、所述第一導電體的頂面及所述第一半導體的所述第二面的區(qū)域，
所述第三絕緣體位于形成有所述第二絕緣體的區(qū)域中的與所述第一半導體的所述第二面重疊的區(qū)域，
所述第四絕緣體位于所述第三絕緣體的形成面及隔著所述第二絕緣體與所述第一半導體的所述第一面重疊的區(qū)域，
所述第二半導體位于隔著所述第四絕緣體與所述第一半導體的所述第二面重疊的區(qū)域，
所述第二導電體位于所述第二半導體的形成面及形成有所述第四絕緣體的區(qū)域中的與所述第一半導體的所述第二面重疊的區(qū)域，
所述第三絕緣體具有儲存電荷的功能，
通過對所述第二導電體供應電位，在所述第一半導體的所述第二面和所述第三絕緣體之間隔著第二絕緣體引起隧道電流。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置，
其中，所述第三絕緣體還位于形成有所述第二絕緣體的區(qū)域中的與所述第一半導體的所述第一面重疊的區(qū)域
并且，所述第三絕緣體位于在所述第二絕緣體和所述第四絕緣體之間與它們重疊的區(qū)域。
4.一種半導體裝置，包括：第一絕緣體、第二絕緣體、第四絕緣體、第一至第三導電體、以及第一半導體，
其中，所述第一半導體包括第一面及第二面，
所述第一絕緣體的第一側面及第二側面位于隔著所述第一導電體與所述第一半導體的所述第一面重疊的區(qū)域，
所述第一導電體的第一側面位于所述第一半導體的所述第一面，
所述第一絕緣體的第一側面位于所述第一導電體的第二側面，
所述第二絕緣體位于包括所述第一絕緣體的第二側面、所述第一絕緣體的頂面、所述第一導電體的頂面、所述第一半導體的所述第二面的區(qū)域，
所述第三導電體位于隔著所述第二絕緣體與所述第一半導體的所述第二面重疊的區(qū)域，
所述第四絕緣體位于所述第三導電體的形成面、形成有所述第二絕緣體的區(qū)域中的隔著所述第三導電體與所述第一半導體的所述第二面重疊的區(qū)域、以及形成有所述第二絕緣體的區(qū)域中的隔著所述第二絕緣體與所述第一半導體的所述第一面重疊的區(qū)域，
所述第二導電體位于形成有所述第四絕緣體的區(qū)域中的與所述第一半導體的所述第二面重疊的區(qū)域，
所述第三導電體具有儲存電荷的功能，
通過對所述第二導電體供應電位，在所述第一半導體的所述第二面和所述第三導電體之間隔著第二絕緣體引起隧道電流。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
