[發明專利]三電平電壓總線裝置及方法

有效

• 申請號: 201880041811.2
• 申請日: 2018-07-19
• 公開（公告）號: CN110771026B
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 葉立明;戴和平
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H02M7/06
• 分類號: H02M7/06;H02M5/458
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 江寧

1.一種三電平電壓總線裝置，其特征在于，包括：

第一開關和第一電容器，串聯在第一電壓總線和第二電壓總線之間；

第二電容器和第二開關，串聯在所述第一電壓總線與所述第二電壓總線之間；以及

二極管，耦合在所述第一開關和所述第一電容器的公共節點與所述第二電容器和所述第二開關的公共節點之間；

其中，所述第二電容器用于與第一電源轉換器連接；所述第一電容器用于與第二電源轉換器連接；

當所述第一電壓總線和所述第二電壓總線的電壓大于第一電壓閾值時，所述第一開關和所述第二開關斷開；以及

當所述第一電壓總線和所述第二電壓總線的電壓小于第二電壓閾值時，所述第一開關和所述第二開關閉合，其中，所述第一電壓閾值大于所述第二電壓閾值；

其中，當所述三電平電壓總線裝置的所述第一電壓總線和所述第二電壓總線的電壓在所述第二電壓閾值和所述第一電壓閾值之間時，所述三電平電壓總線裝置被配置為工作在動態轉移模式；在所述動態轉移模式下，所述三電平電壓總線裝置在高輸入電壓模式和低輸入電壓模式之間來回切換；其中，在所述高輸入電壓模式下，所述第一開關和所述第二開關均斷開；在所述低輸入電壓模式下，所述第一開關和所述第二開關均閉合。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括：

負極溫度系數設備，與所述二極管串聯。

3.根據權利要求1或2所述的裝置，其特征在于，

所述第一開關為第一MOSFET管；第二開關為第二MOSFET管。

4.根據權利要求3所述的裝置，其特征在于，

所述第一MOSFET管的漏極與所述第一電壓總線連接；

所述第一MOSFET管的源極與所述第一電容器連接；

所述第二MOSFET管的漏極與所述第二電容器連接；以及

所述第二MOSFET管的源極與所述第二電壓總線連接。

5.根據權利要求3所述的裝置，其特征在于，

所述第二電容器、所述二極管和所述第一電容器串聯在所述第一電壓總線和所述第二電壓總線之間，

其中，所述二極管的陽極與所述第二電容器連接；所述二極管的陰極與所述第一電容器連接。

6.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，

所述二極管是在二極管仿真模式下工作的晶體管。

7.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，

所述第一電源轉換器的第一輸出端子與所述第二電源轉換器的第一輸出端子連接在一起，提供第一輸出電壓端口；所述第一電源轉換器的第二輸出端子與所述第二電源轉換器的第二輸出端子連接在一起，提供第二輸出電壓端口，其中，所述第一輸出電壓端口的電壓大于所述第二輸出電壓端口的電壓。

8.根據權利要求7所述的裝置，其特征在于，

所述第一電源轉換器為第一隔離電源轉換器；所述第二電源轉換器為第二隔離電源轉換器。

9.根據權利要求7所述的裝置，其特征在于，

所述第一電源轉換器為第一隔離電源轉換器；所述第二電源轉換器為第二非隔離電源轉換器。