[發明專利]氧化物燒結體、濺射靶和氧化物薄膜的制造方法

有效

• 申請號: 201880041330.1
• 申請日: 2018-08-29
• 公開（公告）號: CN110770191B
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 寺村享祐;深川功兒
• 申請（專利權）人: 三井金屬礦業株式會社
• 主分類號: C04B35/453
• 分類號: C04B35/453;C23C14/34;H01L21/203
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳建全

1.一種氧化物燒結體，其以滿足以下的式(1)～(3)的原子比含有銦、鎵和鋅，其由單相的晶體相構成，對于所述晶體相，在采用以CuKα線為線源的X射線衍射測定得到的圖中，在以下的A～P的區域觀測到衍射峰，

0.01≤In/(In+Ga+Zn)＜0.20 (1)

0.10≤Ga/(In+Ga+Zn)≤0.49 (2)

0.50≤Zn/(In+Ga+Zn)≤0.89 (3)

A.24.5°～26.0°

B.31.0°～32.5°

C.32.5°～33.2°

D.33.2°～34.0°

E.34.5°～35.7°

F.35.7°～37.0°

G.38.0°～39.2°

H.39.2°～40.5°

I.43.0°～45.0°

J.46.5°～48.5°

K.55.5°～57.8°

L.57.8°～59.5°

M.59.5°～61.5°

N.65.5°～68.0°

O.68.0°～69.0°

P.69.0°～70.0°。

2.根據權利要求1所述的氧化物燒結體，其以滿足以下的式(4)～(6)的原子比含有銦、鎵和鋅，

0.05≤In/(In+Ga+Zn)≤0.15 (4)

0.15≤Ga/(In+Ga+Zn)≤0.45 (5)

0.50≤Zn/(In+Ga+Zn)≤0.80 (6)。

3.根據權利要求1或2所述的氧化物燒結體，其以滿足以下的式(7)～(9)的原子比含有銦、鎵和鋅，

0.05≤In/(In+Ga+Zn)≤0.15 (7)

0.20≤Ga/(In+Ga+Zn)≤0.40 (8)

0.50≤Zn/(In+Ga+Zn)≤0.70 (9)。

4.根據權利要求1或2所述的氧化物燒結體，其中，所述晶體相的平均粒徑為15.0μm以下。

5.根據權利要求1或2所述的氧化物燒結體，其相對密度為97.0％以上。

6.根據權利要求1或2所述的氧化物燒結體，其抗彎強度為40MPa以上。

7.根據權利要求1或2所述的氧化物燒結體，其電阻率為40mΩ·cm以下。

8.一種濺射靶，其由權利要求1～7中任一項所述的氧化物燒結體制成。

9.根據權利要求8所述的濺射靶，其表面粗糙度的最大高度Ry為15.0μm以下。

10.根據權利要求8或9所述的濺射靶，其色差ΔE^＊為10以下。

11.一種氧化物薄膜的制造方法，其中，對權利要求8～10中任一項所述的濺射靶進行濺射而成膜。