[發明專利]光半導體元件的制造方法及光半導體元件

在審

• 申請號: 201880040231.1
• 申請日: 2018-08-01
• 公開（公告）號: CN110914745A
• 公開（公告）日: 2020-03-24
• 發明（設計）人: 福永圭吾;堀口裕一郎;前田和弘;津波大介
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: G02F1/025
• 分類號: G02F1/025
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 張寶榮

1.一種光半導體元件的制造方法，其特征在于，包括：

準備半導體基板的工序；

在該半導體基板上依次堆積活性層、包層及接觸層的工序；

對該活性層、該包層及該接觸層進行蝕刻，從而在該半導體基板上形成該活性層、該包層及該接觸層層疊而成的臺面結構的工序；

在該半導體基板上形成絕緣膜而將該臺面結構覆蓋的工序；

將該絕緣膜的膜厚減少至該接觸層的上表面露出為止，將在該臺面結構的側面上殘留的絕緣膜作為側壁的工序；

在該半導體基板上形成電介質樹脂層而將該臺面結構及該側壁埋入的工序；

對該電介質樹脂層選擇性地進行蝕刻而形成第一開口部，在該第一開口部內使該接觸層的上表面露出的第一開口工序；及

以與該接觸層連接的方式形成電極的工序。

2.根據權利要求1所述的光半導體元件的制造方法，其特征在于，

所述制造方法在所述第一開口工序之后，還包括：

在所述半導體基板上形成第二絕緣膜而將所述第一開口部的內表面及所述電介質樹脂層覆蓋的工序；及

對該第二絕緣膜選擇性地進行蝕刻而形成第二開口部，在該第二開口部內使所述接觸層的上表面露出的第二開口工序。

3.根據權利要求1或2所述的光半導體元件的制造方法，其特征在于，

所述第一開口部的寬度比所述臺面結構的寬度寬，所述第一開口工序是對所述電介質樹脂層進行蝕刻以使該電介質樹脂層的開口端位于所述側壁上的工序。

4.根據權利要求2所述的光半導體元件的制造方法，其特征在于，

所述第二開口部的寬度比所述臺面結構的寬度寬，所述第二開口工序是對所述絕緣膜進行蝕刻以使該絕緣膜的開口端位于所述側壁上的工序。

5.一種光半導體元件，其特征在于，包括：

半導體基板；

臺面結構，所述臺面結構形成在該半導體基板上，層疊有活性層、包層及接觸層；

側壁，所述側壁覆蓋該臺面結構的側面；

電介質樹脂層，所述電介質樹脂層在該半導體基板上以填埋該側壁的方式形成，并具有使該接觸層的上表面露出的第一開口部；及

電極，所述電極以與該接觸層連接的方式設置。

6.根據權利要求5所述的光半導體元件，其特征在于，

所述光半導體元件還包括絕緣膜，所述絕緣膜覆蓋所述側壁及所述電介質樹脂層且具有使所述接觸層的上表面露出的第二開口部。

7.根據權利要求5或6所述的光半導體元件，其特征在于，

所述第一開口部的寬度比所述臺面結構的寬度大，該第一開口部的開口端位于所述側壁的表面上。

8.根據權利要求6所述的光半導體元件，其特征在于，

所述第二開口部的寬度比所述臺面結構的寬度大，該第二開口部的開口端位于所述側壁的表面上。

9.一種光半導體元件，其特征在于，包括：

半導體基板；

臺面結構，所述臺面結構形成在該半導體基板上，層疊有光波導路活性層、包層及接觸層；

側壁，所述側壁覆蓋該臺面結構的側面，且在該半導體基板的表面上延伸；

電介質樹脂層，所述電介質樹脂層在該半導體基板上以填埋該側壁的方式形成，并具有使該接觸層的上表面露出的第一開口部；及

電極，所述電極以與該接觸層連接的方式設置。

10.根據權利要求9所述的光半導體元件，其特征在于，

所述光半導體元件還包括第二絕緣膜，所述第二絕緣膜覆蓋所述側壁且具有使所述接觸層的上表面露出的第二開口部。

11.根據權利要求6、8、10中任一項所述的光半導體元件，其特征在于，

第一開口部的寬度比第二開口部的寬度大。

12.一種光調制器，其特征在于，具備權利要求5～11中任一項所述的光半導體元件。