[發明專利]在結構材料層中提供多個通孔的方法在審
| 申請號: | 201880040104.1 | 申請日: | 2018-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN110831891A | 公開(公告)日: | 2020-02-21 |
| 發明(設計)人: | E.薩拉吉里克 | 申請(專利權)人: | 細度速治股份公司 |
| 主分類號: | B81C1/00 | 分類號: | B81C1/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 張萍;楊思捷 |
| 地址: | 瑞士格拉*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 結構 材料 提供 多個通孔 方法 | ||
1.使用眾多MEMS方法步驟來提供在結構材料層(220)中包含通孔(132)的MEMS設備的方法,其中使中間產品經受多個MEMS方法步驟,所述中間產品:
-限定第一主側(201)和第二主側(202),和
-至少初始包含基底主體,其在所述第一主側(201)上具有凹部(210),所述凹部(210)包含底部部分和相對遠離所述第二主側(202)的頂部部分,其中所述底部部分是最接近所述第二主側(202)的凹部部分,并且所述頂部部分是所述凹部(210)的最接近所述第一主側(201)的部分;
其中所述眾多方法步驟包括以下步驟:
-向中間基底的所述第一主側(201)提供正性光刻膠的聚合物層,所述聚合物層具有背對所述主體的外表面(291)和面向所述主體的內表面(292),
-使所述正性光刻膠的聚合物層在從所述正性光刻膠的外表面(291)朝向所述中間基底的主體的方向上暴露于光,產生正性光刻膠的暴露層,該層:
-在所述凹部(210)的頂部部分中包含相對強烈解聚的正性光刻膠,同時
-在所述凹部(210)的底部部分中留下相對較不強烈解聚的正性光刻膠;
-除去所述相對強烈解聚的正性光刻膠,同時留下在所述主體的凹部(210)的底部部分中的所述相對較不強烈解聚的正性光刻膠,以便提供受保護區域;
-在所述第一主側(201)處和所述受保護區域外部提供結構材料;
-在所述受保護區域處進行蝕刻,以在所述結構材料中提供通孔(132)。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述基底主體是結晶基底。
3.根據權利要求1或2所述的方法,其中所述通孔(132)是探針(100)的懸臂末端中的通孔(132)。
4.根據前述權利要求中任一項所述的方法,其中所述中間產品包含:
-主體(260),其包含主體材料,和
-在所述第一主側(201)處的第一材料(220)的第一層(220),所述第一材料與主體材料不同;
其中:
-在除去所述相對強烈解聚的正性光刻膠同時留下在所述主體的凹部(210)的底部部分中所述相對較不強烈解聚的正性光刻膠的步驟之后,使用所述相對較不強烈解聚的光刻膠作為掩模蝕刻所述第一層(220),在經暴露的主體材料的頂部留下第一材料(220)的第一區域,
-在所述第一主側(201)處提供結構材料的步驟包括通過使用剩余的第一材料和所述相對較不強烈解聚的光刻膠中的至少一者作為掩模,將所述基底主體的經暴露的主體材料轉化成其組成不同于所述基底主體材料的結構材料來生長結構材料層(230),和
-蝕刻所述受保護區域的步驟包括除去所述剩余的第一材料(220)。
5.根據前述權利要求中任一項所述的方法,其中除去所述凹部(210)位置處的基底主體材料,以便在所述通孔(132)處暴露所述結構材料(230)。
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