[發(fā)明專利]絕緣電線

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880039574.6
• 申請日: 2018-06-15
• 公開（公告）號: CN110770855B
• 公開（公告）日: 2021-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 前田修平;山內(nèi)雅晃;梅本登紀子;田村康
• 申請（專利權(quán)）人: 住友電氣工業(yè)株式會社;住友電工運泰克株式會社
• 主分類號: H01B7/02
• 分類號: H01B7/02;C08G73/10;C09D179/08;H01B3/30
• 代理公司: 北京瑞盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11300
• 代理人: 劉昕;孟祥海

一種絕緣電線(1)包括具有線形形狀的導(dǎo)體(10)和形成為覆蓋所述導(dǎo)體的外周的絕緣膜(20)。所述絕緣膜(20)由具有包含PMDA?ODA?型重復(fù)單元A和BPDA?ODA?型重復(fù)單元B的分子結(jié)構(gòu)的聚酰亞胺形成，所述重復(fù)單元B的數(shù)量與所述重復(fù)單元A和所述重復(fù)單元B的總數(shù)量的摩爾比[B/(A+B)]×100(摩爾％)為超過55摩爾％。具有7％分離伸長率的所述絕緣膜(20)的第一樣品具有1.2以上的比率M₆₀/M₁₀，或具有40％分離伸長率的所述絕緣膜(20)的第二樣品具有1.2以上的比率M₃₀/M₁₀。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種絕緣電線。本申請要求享有在2017年6月15日 提交的日本專利申請第2017-117609號和在2017年6月15日提交的日 本專利申請第2017-117610號的優(yōu)先權(quán)，其通過整體引用并入本文。

背景技術(shù)

專利文獻1公開一種具有高耐熱性，具有高耐龜裂性，并且較少 可能引起電暈放電的絕緣電線。

引用列表

專利文獻

專利文獻1：日本未經(jīng)審查的專利申請公開第2013-253124號

發(fā)明內(nèi)容

技術(shù)方案

根據(jù)本公開的第一方面的絕緣電線包括具有線形形狀的導(dǎo)體和形 成為覆蓋所述導(dǎo)體的外周的絕緣膜。所述絕緣膜由具有包含由以下通 式(1)表示的重復(fù)單元A和由以下通式(2)表示的重復(fù)單元B的分 子結(jié)構(gòu)的聚酰亞胺形成，

(化學(xué)式1)

(化學(xué)式2)

所述重復(fù)單元B的摩爾數(shù)與所述重復(fù)單元A和所述重復(fù)單元B的 總摩爾數(shù)的摩爾比[B/(A+B)]×100(摩爾％)超過55摩爾％。

在具有7％分離伸長率的所述絕緣膜的第一樣品上在10mm/min的 拉伸速度下實施的拉伸測試中，在60％伸長率時的拉伸應(yīng)力M₆₀與在 10％伸長率時的拉伸應(yīng)力M₁₀的比率M₆₀/M₁₀為1.2以上。

根據(jù)本公開的第二方面的絕緣電線包括具有線形形狀的導(dǎo)體和形 成為覆蓋所述導(dǎo)體的外周的絕緣膜。所述絕緣膜由具有包含由以下通 式(1)表示的重復(fù)單元A和由以下通式(2)表示的重復(fù)單元B的分 子結(jié)構(gòu)的聚酰亞胺形成。

(化學(xué)式3)

(化學(xué)式4)

所述重復(fù)單元B的摩爾數(shù)與所述重復(fù)單元A和所述重復(fù)單元B的 總摩爾數(shù)的摩爾比[B/(A+B)]×100(摩爾％)超過55摩爾％，

在具有40％分離伸長率的所述絕緣膜的第二樣品上在10mm/min 下實施的拉伸測試中，在30％伸長率下的拉伸應(yīng)力M₃₀與在10％伸長 率下的拉伸應(yīng)力M₁₀的比率M₃₀/M₁₀為1.2以上。

附圖說明

圖1為絕緣電線的示意截面圖。

圖2為在第一樣品的拉伸測試中的絕緣膜的應(yīng)力-應(yīng)變曲線示意圖。

圖3為在第二樣品的拉伸測試中的絕緣膜的應(yīng)力-應(yīng)變曲線示意圖。

圖4為在制備絕緣電線的過程中的步驟的流程圖。

圖5為絕緣電線的示意截面圖。