[發明專利]掩模坯料、相移掩模及半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201880039083.1
• 申請日: 2018-05-16
• 公開（公告）號: CN110770652B
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發明（設計）人: 橋本雅廣;宍戶博明
• 申請（專利權）人: HOYA株式會社
• 主分類號: G03F1/32
• 分類號: G03F1/32;G03F1/58;G03F7/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王利波

1.一種掩模坯料，其具備在透光性基板上依次層疊有相移膜和遮光膜的結構，

所述相移膜和所述遮光膜的層疊結構對于ArF準分子激光的曝光光的光密度為3.5以上，

所述遮光膜具備從所述透光性基板側起層疊有下層及上層的結構，

所述下層由含有鉻、且鉻、氧、氮及碳的總含量為90原子％以上的材料形成，

所述上層由含有金屬及硅、且金屬及硅的總含量為80原子％以上的材料形成，

所述上層對于所述曝光光的消光系數k_U大于所述下層對于所述曝光光的消光系數k_L，

所述下層的厚度為大于15nm且60nm以下，

所述上層的厚度為5nm以上且40nm以下，

作為所述金屬，包含選自鉬、鎢、鈦、鉭、鋯、鉿、鈮、釩、鈷、鉻、鎳、釕、銠、鈀、銦、錫、鋁中的1種以上金屬元素。

2.根據權利要求1所述的掩模坯料，其中，所述相移膜對于所述曝光光的透射率為1％以上。

3.根據權利要求1所述的掩模坯料，其中，所述下層的消光系數k_L為2.0以下，所述上層的消光系數k_U大于2.0。

4.根據權利要求1所述的掩模坯料，其中，所述上層對于所述曝光光的折射率n_U小于所述下層對于所述曝光光的折射率n_L，用所述上層對于所述曝光光的折射率n_U除以所述下層對于所述曝光光的折射率n_L而得到的比率n_U/n_L為0.8以上。

5.根據權利要求4所述的掩模坯料，其中，所述下層的折射率n_L為2.0以下，所述上層的折射率n_U小于2.0。

6.根據權利要求1所述的掩模坯料，其中，所述下層由鉻、氧及碳的總含量為90原子％以上的材料形成。

7.根據權利要求1所述的掩模坯料，其中，所述上層由鉭及硅的總含量為80原子％以上的材料形成。

8.根據權利要求1所述的掩模坯料，其中，所述相移膜由含有硅的材料形成。

9.一種相移掩模，其具備在透光性基板上依次層疊有具有轉印圖案的相移膜和具有遮光帶圖案的遮光膜的結構，

所述相移膜與所述遮光膜的層疊結構對于ArF準分子激光的曝光光的光密度為3.5以上，

所述遮光膜具備從所述透光性基板側起層疊有下層及上層的結構，

所述下層由含有鉻、且鉻、氧、氮及碳的總含量為90原子％以上的材料形成，

所述上層由含有金屬及硅、且金屬及硅的總含量為80原子％以上的材料形成，

所述上層對于所述曝光光的消光系數k_U大于所述下層對于所述曝光光的消光系數k_L，

所述下層的厚度為大于15nm且60nm以下，

所述上層的厚度為5nm以上且40nm以下，

作為所述金屬，包含選自鉬、鎢、鈦、鉭、鋯、鉿、鈮、釩、鈷、鉻、鎳、釕、銠、鈀、銦、錫、鋁中的1種以上金屬元素。

10.根據權利要求9所述的相移掩模，其中，所述相移膜對于所述曝光光的透射率為1％以上。

11.根據權利要求9所述的相移掩模，其中，所述下層的消光系數k_L為2.0以下，所述上層的消光系數k_U大于2.0。