[發明專利]用于向負載提供電壓的電路、操作穩壓器的方法和穩壓器

有效

• 申請號: 201880038601.8
• 申請日: 2018-05-23
• 公開（公告）號: CN110730935B
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發明（設計）人: 杜定坤;J·B·弗萊徹
• 申請（專利權）人: 蘋果公司
• 主分類號: G05F1/563
• 分類號: G05F1/563;G05F1/61
• 代理公司: 北京市漢坤律師事務所 11602
• 代理人: 魏小薇;吳麗麗

1.一種用于向負載提供電壓的電路，包括：

穩壓器，其中所述穩壓器包括：

第一級，其中所述第一級為無電容器的第一級，并且包括使用第一P型金屬氧化物半導體PMOS晶體管實現的源極跟隨器，其中所述第一PMOS晶體管的柵極端子被耦接以接收第一參考電壓，其中所述第一級被耦接以接收來自外部電壓源的第一電壓，并且被配置為在中間節點上輸出小于所述第一電壓的第二電壓，并且其中所述第一級還包括使用第二PMOS晶體管實現的共源極放大器，其中所述第一PMOS晶體管包括所述共源極放大器上的負載；以及

第二級，所述第二級被耦接以接收來自所述第一級的所述第二電壓，其中所述第一級被配置為經由所述中間節點將所述第二電壓直接且唯一地提供至所述第二級，其中所述第二級被配置為在輸出節點上將第三電壓輸出至負載電路，并且其中所述第二級包括具有反相輸入和非反相輸入的放大器，其中所述具有反相輸入和非反相輸入的放大器的所述非反相輸入被耦接以接收第二參考電壓，并且其中所述具有反相輸入和非反相輸入的放大器包括被耦接以接收所述第二電壓的供電電壓輸入，其中所述第二級還包括電流鏡，其中所述具有反相輸入和非反相輸入的放大器的輸出耦接到NMOS晶體管的柵極端子，所述NMOS晶體管的漏極端子耦接到所述電流鏡并且所述NMOS晶體管的源極端子耦接到地，并且其中所述電流鏡包括第三PMOS晶體管和第四PMOS晶體管，其中所述第三PMOS晶體管和所述第四PMOS晶體管的相應柵極端子耦接到所述NMOS晶體管的漏極端子，并且所述第三PMOS晶體管的源極-漏極路徑耦接在所述中間節點和所述NMOS晶體管的漏極端子之間，并且其中所述第四PMOS晶體管的漏極端子耦接到所述中間節點，并且所述第四PMOS晶體管的源極端子耦接到所述輸出節點。

2.根據權利要求1所述的用于向負載提供電壓的電路，還包括使用耦接到所述第一PMOS晶體管和所述第二PMOS晶體管兩者的NMOS晶體管實現的共柵極放大器，其中所述共柵極放大器被配置為將基本上等于所述第二電壓的電壓驅動至所述第二PMOS晶體管的柵極端子。

3.根據權利要求1所述的用于向負載提供電壓的電路，還包括耦接在所述輸出節點和參考節點之間的分壓器，其中所述具有反相輸入和非反相輸入的放大器被耦接以在其反相輸入上接收來自所述分壓器的分壓電壓。

4.根據權利要求1所述的用于向負載提供電壓的電路，其中所述第一級包括第一串聯穩壓器，并且其中所述第二級包括第二串聯穩壓器。