[發明專利]用于二維模式匹配光柵耦合器的方法和系統

在審

• 申請號: 201880038376.8
• 申請日: 2018-04-19
• 公開（公告）號: CN110770615A
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 羅曼·布魯克;阿蒂拉·米基斯
• 申請（專利權）人: 盧克斯特拉有限公司
• 主分類號: G02B6/124
• 分類號: G02B6/124;G02B6/26;G02B6/34
• 代理公司: 11240 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 劉彬

1.一種用于通信的方法，所述方法包括：

在光子芯片中，在所述光子芯片的表面處包括光柵耦合器，所述光柵耦合器在穿過所述光柵耦合器的光波的方向上具有增加的散射強度：

從所述光子芯片內的第一方向接收光信號；并且

將所述光信號散射出所述光子芯片的表面。

2.根據權利要求1所述的方法，包括從所述光子芯片內的第二方向在所述光柵耦合器中接收第二光信號。

3.根據權利要求2所述的方法，包括將所述第二光信號散射出所述光子芯片的表面。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述增加的散射強度由增加的寬度散射體沿著垂直于光傳播方向的方向來配置。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述增加的散射強度由所述光柵耦合器中散射體形狀的轉變來配置。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述散射體的形狀從十字形轉變為正方形。

7.根據權利要求5所述的方法，其中，所述散射體的形狀從空心形狀轉變為實心形狀。

8.根據權利要求5所述的方法，其中，所述散射體的形狀從正方形轉變為直線。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，從正方形到直線的轉變包括正方形之間的窄合并元件。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述光子芯片包括互補金屬氧化物半導體(CMOS)芯片。

11.一種用于通信的系統，所述系統包括：

光子芯片，在所述光子芯片的表面處包括光柵耦合器，所述光柵耦合器在穿過所述光柵耦合器的光波的方向上具有增加的散射強度，所述光子芯片能夠操作用于：

從所述光子芯片內的第一方向接收光信號；并且

將所述光信號散射出所述光子芯片的表面。

12.根據權利要求11所述的系統，其中，所述光子芯片能夠操作用于從所述光子芯片內的第二方向在所述光柵耦合器中接收第二光信號。

13.根據權利要求12所述的系統，其中，所述光子芯片能夠操作用于將所述第二光信號散射出所述光子芯片的表面。

14.根據權利要求11所述的系統，其中，所述增加的散射強度由增加的寬度散射體沿著垂直于光傳播方向的方向來配置。

15.根據權利要求11的系統，其中，所述增加的散射強度由所述光柵耦合器中散射體形狀的轉變來配置。

16.根據權利要求15所述的系統，其中，所述散射體的形狀從十字形轉變為正方形。

17.根據權利要求15所述的系統，其中，所述散射體的形狀從空心形狀轉變為實心形狀。

18.根據權利要求15所述的系統，其中，所述散射體的形狀從正方形轉變為直線。

19.根據權利要求18所述的系統，其中，從正方形到直線的轉變包括正方形之間的窄合并元件。

20.一種用于通信的方法，所述方法包括：

在光子芯片中，在所述光子芯片的表面處包括光柵耦合器，所述光柵耦合器在穿過所述光柵耦合器的光波的方向上具有降低的散射強度：

經由所述光柵耦合器從所述光子芯片的表面接收光信號；并且

將所述光信號散射到耦合到所述光柵耦合器的波導中，在平行于所述光子芯片的表面的方向上傳送所述光信號。