[發(fā)明專利]等離子切割方法及實(shí)施該方法的割炬

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880037766.3
• 申請(qǐng)日: 2018-05-24
• 公開（公告）號(hào): CN110870389B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: F·開米培瑞特
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛克瑞威亞公司
• 主分類號(hào): H05H1/34
• 分類號(hào): H05H1/34;H05H1/36;B23K10/00
• 代理公司: 北京酷愛智慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11514
• 代理人: 袁克來

1.一種等離子切割待切割件(2)的方法，包括以下步驟：

提供等離子割炬，所述等離子割炬包括：

電極(3)；

第一噴嘴(4)；

第一供氣裝置(11、12、13)；

第二噴嘴(5)；和

第二供氣裝置(14、15、16)；和

向所述電極(3)供應(yīng)電流，并向所述第一噴嘴(4)和所述第二噴嘴(5)供應(yīng)氣體，以便與引入所述第一噴嘴(4)的氣體形成等離子體，

其中：

所述第二供氣裝置(14、15、16)包括次級(jí)氣體源(14)；

所述電極(3)設(shè)置在所述第一噴嘴(4)內(nèi)；

所述第一噴嘴(4)具有面向所述電極(3)的末端的第一出口部分(9)；

所述第一供氣裝置(11、12、13)用于向所述第一噴嘴(4)供應(yīng)氣體；

所述第二噴嘴(5)同心地圍繞所述第一噴嘴(4)布置并具有第二出口部分(10)；

所述第二出口部分(10)基本面向所述第一出口部分(9)；

所述第二供氣裝置(14、15、16)位于所述第一噴嘴(4)和所述第二噴嘴(5)之間；

所述第二供氣裝置(14、15、16)通過供應(yīng)回路(7)向所述第二噴嘴(5)供應(yīng)氣體；

所述供應(yīng)回路(7)包括在所述第一噴嘴(4)和所述第二噴嘴(5)之間的氣體通過部分；

在所述供應(yīng)回路(7)中在壓力下的所述次級(jí)氣體源(14)和下游所述第二出口部分(10)之間的任何地方的所述氣體通過部分大于：

所述第二出口部分(10)的最小部分；或

所述第二出口部分(10)的邊緣在循環(huán)的切割階段中在所述待切割件(2)表面上的投影所形成的表面的環(huán)形部分的最小部分；和

處在所述第一噴嘴(4)的所述第一出口部分(9)的所述第二噴嘴(5)中的等離子束(1)周圍的環(huán)境壓力(P2)被控制為在一方面至少高于大氣壓，并在另一方面低于所述第一出口部分(9)中的壓力(Pj)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一出口部分(9)中的所述等離子束(1)中的所述壓力(Pj)與所述第一噴嘴(4)和所述第二噴嘴(5)之間的所述等離子束(1)周圍的環(huán)境壓力(P2)之間的比例在1和5之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，從所述第一噴嘴(4)中的總產(chǎn)生壓力(Pi)和與恒定壓力下的比熱與所述等離子體的體積之間的比例對(duì)應(yīng)的系數(shù)來獲得所述第一出口部分(9)中的所述壓力(Pj)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一噴嘴(4)中的供氣壓力(Pi)大于5000hPa。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，也可通過改變所述待切割件(2)與所述第二出口部分(10)之間的距離來調(diào)節(jié)所述等離子束(1)周圍的所述環(huán)境壓力(P2)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述等離子束(1)中的電流強(qiáng)度是所述第一噴嘴(4)中的供氣壓力(Pi)的仿射函數(shù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述等離子束(1)的灌注階段、轉(zhuǎn)移階段和穿刺階段同時(shí)在隨后所述壓力在切割階段增加的期間，所述第一噴嘴(4)的所述第一出口部分(9)處的等離子束(1)周圍的所述環(huán)境壓力(P2)基本上等于大氣壓。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在切割循環(huán)的至少一個(gè)階段期間，所述第二噴嘴(5)與所述待切割件(2)接觸。