[發明專利]帶有多個單獨輻射體的天線

有效

• 申請號: 201880037230.1
• 申請日: 2018-05-03
• 公開（公告）號: CN110710053B
• 公開（公告）日: 2022-01-25
• 發明（設計）人: 亞歷山大·麥辛格
• 申請（專利權）人: 利薩·德雷克塞邁爾有限責任公司
• 主分類號: H01Q1/52
• 分類號: H01Q1/52;H01Q21/06
• 代理公司: 北京卓孚律師事務所 11821
• 代理人: 任宇

1.一種天線，該天線帶有多個單獨輻射體(1)，

所述單獨輻射體(1)沿x和y方向形成帶有孔徑的天線場，

其中，所述單獨輻射體(1)分別通過分離壁(2、21、22)相互分離，并且

所述分離壁(2、21、22)的至少一個部分具有從所述孔徑伸出的干擾位置(3)，

其特征在于，

沿x方向的所述分離壁(21)與沿y方向的所述分離壁(22)具有不同的壁厚(d)，并且所述單獨輻射體(1)沿x方向具有小于λ的距離。

2.根據權利要求1所述的天線，其中，所述單獨輻射體(1)的至少一個部分是非方形的，并且沿x方向比沿y方向布置有更多數量的單獨輻射體(1)。

3.根據權利要求1或2所述的天線，其中，所述單獨輻射體(1)沿y方向具有所述分離壁(22)中的片層結構(4)。

4.根據權利要求3所述的天線，其中，所述片層結構(4)具有凹槽(10)，所述凹槽(10)的深度(t)小于λ/4并且大于λ/3。

5.根據權利要求4所述的天線，其中，所述凹槽(10)的深度(t)小于λ/8并且大于λ/12。

6.根據權利要求4所述的天線，其中，所述凹槽(10)的深度(t)為大約λ/10。

7.根據權利要求3所述的天線，其中，所述片層結構(4)具有凹槽(10)，所述凹槽(10)的寬度(br)小于λ/10并且大于λ/50。

8.根據權利要求7所述的天線，其中，所述凹槽(10)的寬度(br)小于λ/20并且大于λ/40。

9.根據權利要求7所述的天線，其中，所述凹槽(10)的寬度(br)為大約λ/30。

10.根據權利要求3所述的天線，其中，所述干擾位置(3)從相應的所述分離壁(2、21、22)伸出，并且沿x方向相鄰的單獨輻射體(1)的所述分離壁(21)的干擾位置(3)比沿y方向相鄰的單獨輻射體(1)的所述分離壁(22)的干擾位置(3)更寬。

11.根據權利要求3所述的天線，其中，所述天線場的所述單獨輻射體(1)的至少一個部分是相位受控的，并且所述天線通過饋送網絡(5)與發送/接收裝置(6)連接，其中，在所述饋送網絡(5)中布置有相位調節構件(7)。

12.根據權利要求11所述的天線，其中，控制裝置(8)控制所述相位調節構件(7)，從而將輻射特征偏轉為主要沿x方向。

13.根據權利要求11或12所述的天線，其中，所述饋送網絡(5)中的所述相位調節構件(7)被布置成靠近所述單獨輻射體(1)。

14.根據權利要求3所述的天線，其中，所述單獨輻射體(1)被構造為開放式波導管。

15.根據權利要求14所述的天線，其中，所述單獨輻射體(1)是開放式的圓形波導管，所述單獨輻射體(1)與由圓形波導管構成的饋送網絡(5)連接。

16.根據權利要求3所述的天線，其中，所述單獨輻射體(1)的至少一個部分被填充有電介質(11)。

17.根據權利要求16所述的天線，其中，所述電介質(11)具有旋轉對稱的形狀，并且沿著所述單獨輻射體(1)的輻射軸線(R)布置。

18.根據權利要求17所述的天線，其中所述電介質(11)沿所述孔徑的方向具有突起(12)。