[發(fā)明專利]納米結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880035485.4
• 申請(qǐng)日: 2018-04-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110678990A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-01-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: B·O·M·費(fèi)姆蘭;H·韋曼;D·任
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 挪威科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/16;H01L33/08;H01L33/24
• 代理公司: 11728 北京信諾創(chuàng)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 劉金峰

1.一種物質(zhì)組合物，其包含至少一種納米結(jié)構(gòu)，該納米結(jié)構(gòu)外沿地生長(zhǎng)于視情況摻雜的β-Ga₂O₃襯底上，

其中該納米結(jié)構(gòu)包含至少一種第III-V族化合物。

2.如權(quán)利要求1所述的物質(zhì)組合物，其中該至少一種納米結(jié)構(gòu)是經(jīng)摻雜的，例如p型摻雜。

3.如權(quán)利要求1所述的物質(zhì)組合物，其中該至少一種納米結(jié)構(gòu)包含徑向或軸向異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

4.一種物質(zhì)組合物，其包含：

至少一種核心半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其外沿地生長(zhǎng)于視情況摻雜的β-Ga₂O₃襯底上，其中該納米結(jié)構(gòu)包含至少一種第III-V族化合物；

半導(dǎo)體殼，其包圍該核心納米結(jié)構(gòu)，該殼包含至少一種第III-V族化合物；

該核心半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)經(jīng)摻雜以形成n型或p型半導(dǎo)體；及

該殼經(jīng)摻雜以形成與該核心相反的p型半導(dǎo)體或n型半導(dǎo)體；及

外部導(dǎo)電涂層，其包圍該殼的形成電極接頭的至少一部分。

5.一種物質(zhì)組合物，其包含：

至少一種半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其外沿地生長(zhǎng)于視情況摻雜的β-Ga₂O₃襯底上，其中該納米結(jié)構(gòu)包含至少一種第III-V族化合物；

該半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)經(jīng)摻雜以使得該納米結(jié)構(gòu)含有軸向n型及p型半導(dǎo)體區(qū)。

6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的物質(zhì)組合物，其中該納米結(jié)構(gòu)自(-201)或(100)β-Ga₂O₃襯底平面生長(zhǎng)。

7.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的物質(zhì)組合物，其中該納米結(jié)構(gòu)包含第III族-N化合物。

8.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的物質(zhì)組合物，其中該納米結(jié)構(gòu)包含GaN、AlN、AlGaN、InGaN或AlInGaN。

9.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的物質(zhì)組合物，其中該納米結(jié)構(gòu)為納米線或納米棱錐。

10.如權(quán)利要求9所述的物質(zhì)組合物，其中該納米線的直徑不超過(guò)400nm且長(zhǎng)度為至多5微米，例如至多2微米。

11.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的物質(zhì)組合物，其中該襯底包含復(fù)數(shù)個(gè)納米線且其中所述納米線優(yōu)選地大體上平行。

12.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的物質(zhì)組合物，其進(jìn)一步包含定位于該襯底與該納米結(jié)構(gòu)之間的經(jīng)摻雜或未摻雜的第III-V族緩沖層。

13.如權(quán)利要求12所述的物質(zhì)組合物，其中該緩沖層為經(jīng)摻雜或未摻雜的GaN。

14.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的物質(zhì)組合物，其進(jìn)一步包含在該襯底上的孔洞圖案化掩膜，其中所述納米結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)穿過(guò)該掩膜的孔洞。

15.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的物質(zhì)組合物，其進(jìn)一步包含在該襯底上的孔洞圖案化掩膜、在該掩膜的孔洞中的經(jīng)摻雜或未摻雜的第III-V族化合物緩沖層，其中所述納米結(jié)構(gòu)自該緩沖層生長(zhǎng)穿過(guò)該掩膜的孔洞。

16.一種物質(zhì)組合物，其包含至少一種外沿地生長(zhǎng)于襯底上的納米結(jié)構(gòu)，該襯底包含摻雜或未摻雜的第III-V族化合物緩沖層，諸如摻雜或未摻雜的GaN緩沖層，及視情況摻雜的β-Ga₂O₃層，

其中該納米結(jié)構(gòu)包含至少一種第III-V族化合物。