[發(fā)明專利]用于校準(zhǔn)具有判決反饋均衡器(DFE)的接收器的裝置和方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880035464.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-05-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110692213B | 公開(公告)日: | 2020-12-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | M·陳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 高通股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H04L7/00 | 分類號(hào): | H04L7/00;H03K3/356;H04L25/03 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 張曦 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 校準(zhǔn) 具有 判決 反饋 均衡器 dfe 接收器 裝置 方法 | ||
本公開的各方面指向確定樣本鎖存器的偏移校準(zhǔn)步長(zhǎng)。根據(jù)一個(gè)方面,本公開涉及一種判決反饋均衡器(DFE)輸入段,其包括:E樣本鎖存器,用于輸出目標(biāo)信號(hào)樣本;E樣本數(shù)模轉(zhuǎn)換器,耦合到E樣本鎖存器以向E樣本鎖存器輸入目標(biāo)電壓;樣本鎖存器,用于輸出信號(hào)樣本;以及電壓數(shù)模轉(zhuǎn)換器,耦合到E樣本鎖存器和樣本鎖存器以生成偏置電壓,其中偏置電壓被輸入到E樣本鎖存器和樣本鎖存器。DFE輸入段還可以包括:鎖存器偏移解碼器,用于縮放偏置電壓;以及求和放大器,用于接收去往DFE輸入段的模擬輸入波形。
本申請(qǐng)要求2017年5月31日在美國(guó)專利商標(biāo)局提交的臨時(shí)申請(qǐng)No.62/512,837和2017年7月19日在美國(guó)專利商標(biāo)局提交的非臨時(shí)申請(qǐng)No.15/654,540的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益,其全部?jī)?nèi)容通過引用并入本文,就如同在下文中以它們的整體并且出于所有適用目的而被完全闡述。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開一般地涉及校準(zhǔn)接收器的領(lǐng)域,并且特別地涉及校準(zhǔn)具有判決反饋均衡器(DFE)的接收器。
背景技術(shù)
接收器中的高性能判決反饋均衡器(DFE)采用高精度樣本鎖存器來捕獲和量化傳入的高速信號(hào)。DFE性能取決于樣本鎖存器準(zhǔn)確度,例如,樣本鎖存器電壓偏移。為了減輕DFE性能下降,樣本鎖存器電壓偏移必須被校準(zhǔn)。然而,常規(guī)設(shè)計(jì)中的電壓偏移校準(zhǔn)被底層晶體管的相對(duì)幾何尺寸的精度所限制。作為結(jié)果,如果偏移校準(zhǔn)步長(zhǎng)太小,則電壓偏移校準(zhǔn)可能具有受限制的偏移校準(zhǔn)范圍,或者如果偏移校準(zhǔn)步長(zhǎng)太大,則電壓偏移校準(zhǔn)可能具有低劣的校準(zhǔn)精度。也就是說,相對(duì)晶體管尺寸的精度影響電壓偏移校準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。并且,進(jìn)而,電壓偏移校準(zhǔn)的準(zhǔn)確度影響DFE性能。
發(fā)明內(nèi)容
下文提出了本公開的一個(gè)或多個(gè)方面的簡(jiǎn)化概述,以便提供對(duì)這樣的方面的基本理解。該概述不是本公開的所有設(shè)想到的特征的廣泛概覽,并且既不旨在標(biāo)識(shí)本公開的所有方面的關(guān)鍵或重要元素,也不旨在界定本公開的任何或所有方面的范圍。其唯一目的是以簡(jiǎn)化的形式呈現(xiàn)本公開的一個(gè)或多個(gè)方面的一些概念,作為稍后呈現(xiàn)的更詳細(xì)描述的序言。
在一個(gè)方面,本公開提供了確定樣本鎖存器的偏移校準(zhǔn)步長(zhǎng)。因此,一種用于確定樣本鎖存器的偏移校準(zhǔn)步長(zhǎng)的方法包括:生成第一目標(biāo)電壓;設(shè)置校準(zhǔn)數(shù)字控制字;以及基于第一目標(biāo)電壓和校準(zhǔn)數(shù)字控制字,將量化數(shù)字控制字調(diào)節(jié)為第一整數(shù)值,其中第一整數(shù)值基于樣本鎖存器達(dá)到第一亞穩(wěn)態(tài)。該方法還包括:確定第一步長(zhǎng),其中第一步長(zhǎng)是與第一整數(shù)值相對(duì)應(yīng)的偏移校準(zhǔn)步長(zhǎng)的值。該方法還可以包括:生成第二目標(biāo)電壓;重置校準(zhǔn)數(shù)字控制字以生成重置后的校準(zhǔn)數(shù)字控制字;以及基于第二目標(biāo)電壓和重置后的校準(zhǔn)數(shù)字控制字,將量化數(shù)字控制字重新調(diào)節(jié)為第二整數(shù)值。該方法還可以包括:確定第二步長(zhǎng),其中第二步長(zhǎng)是與第二整數(shù)值相對(duì)應(yīng)的偏移校準(zhǔn)步長(zhǎng)的值。該方法還可以包括:確定經(jīng)校準(zhǔn)的量化數(shù)字控制字,其中經(jīng)校準(zhǔn)的量化數(shù)字控制字是第一整數(shù)值和第二整數(shù)值的算術(shù)平均值。該方法還可以包括:確定經(jīng)校準(zhǔn)的偏移校準(zhǔn)步長(zhǎng),其中經(jīng)校準(zhǔn)的偏移校準(zhǔn)步長(zhǎng)是第一步長(zhǎng)和第二步長(zhǎng)的算術(shù)平均值。在一個(gè)示例中,第二整數(shù)值基于樣本鎖存器達(dá)到第二亞穩(wěn)態(tài)。在一個(gè)示例中,第二亞穩(wěn)態(tài)與第一亞穩(wěn)態(tài)不同。在一個(gè)示例中,生成第一目標(biāo)電壓步驟包括:將E樣本數(shù)字控制字設(shè)置為第一目標(biāo)碼,并且E樣本符號(hào)位被設(shè)置為第一極性。在一個(gè)示例中,第一目標(biāo)電壓等于第一目標(biāo)碼和EDAC輸出分辨率的乘積。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于高通股份有限公司,未經(jīng)高通股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880035464.2/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





