[發明專利]金屬硅化物的選擇性沉積

有效

• 申請號: 201880034866.0
• 申請日: 2018-05-24
• 公開（公告）號: CN110945626B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發明（設計）人: 雷蒙德·洪;金南成;斯里尼瓦斯·內曼尼;怡利·葉;鄭崔;克里斯托弗·艾爾斯;安德魯·庫梅爾
• 申請（專利權）人: 應用材料公司;加利福尼亞大學董事會
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/324
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種基板處理方法，包括以下步驟：

將具有含硅表面的基板加熱至第一溫度；

將所述基板暴露于含氫的等離子體；

將所述基板暴露于第一劑量的MoF₆前驅物；

將所述基板暴露于第二劑量的Si₂H₆前驅物；

依序循環將所述基板暴露于第一劑量的步驟及將所述基板暴露于第二劑量的步驟；及

在所述依序循環的步驟之后，將所述基板暴露于第三劑量的Si₂H₆前驅物。

2.如權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟：

在將所述基板暴露于第三劑量之后，在500℃至550℃之間的第二溫度下對所述基板退火。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述第一溫度在100℃至150℃之間。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述依序循環的步驟施行少于10次。

5.如權利要求4所述的方法，其中所述依序循環的步驟施行5次。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述含氫的等離子體由選自以下項組成的群組中的前驅物形成：NF₃/H₂、和NF₃/NH₃。

7.如權利要求1所述的方法，其中在所述依序循環的步驟期間施行使用N₂的氮氣凈化工藝。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述第一劑量施行10ms至100ms之間的持續時間，及所述第二劑量施行1ms至50ms之間的持續時間。

9.如權利要求8所述的方法，其中所述第一劑量包括1MegaL至10MegaL之間的MoF₆流動速率，所述第二劑量包括1MegaL和10MegaL之間的Si₂H₆流動速率，及所述第三劑量包括20MegaL和50MegaL之間的Si₂H₆流動速率。

10.一種基板處理方法，包括以下步驟：

將所述基板定位在反應腔室中的加熱器上，所述反應腔室具有腔室壁；

將所述加熱器上的所述基板加熱到第一溫度；

將所述腔室壁保持在低于所述第一溫度的第二溫度；

將所述基板的含硅表面暴露于氫；

將所述基板暴露于第一劑量的MoF₆前驅物；

將所述基板暴露于第二劑量的Si₂H₆前驅物；

依序循環將所述基板暴露于第一劑量的步驟及將所述基板暴露于第二劑量的步驟；及

在所述依序循環的步驟之后，將所述基板暴露于第三劑量的Si₂H₆前驅物。

11.如權利要求10所述的方法，其中所述第一溫度在100℃和150℃之間，及所述第二溫度在65℃和85℃之間。

12.如權利要求10所述的方法，其中所述第一劑量包括1MegaL和10MegaL之間的MoF₆流動速率，所述第二劑量包括1MegaL和10MegaL之間的Si₂H₆流動速率，及所述第三劑量包括20MegaL和50MegaL之間的Si₂H₆流動速率。