[發(fā)明專利]等離子體反應(yīng)器、等離子體處理工件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880034861.8
• 申請日: 2018-05-25
• 公開（公告）號: CN110710056B
• 公開（公告）日: 2023-01-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梁奇?zhèn)?/a>;斯里尼瓦斯·D·內(nèi)曼尼
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: H01Q9/40
• 分類號: H01Q9/40;H01L21/3065
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種等離子體反應(yīng)器，包括：

腔室主體，所述腔室主體具有提供等離子體腔室的內(nèi)部空間；

氣體分配口，所述氣體分配口用于將處理氣體輸送到所述等離子體腔室；

工件支撐件，所述工件支撐件用于保持工件；

天線陣列，所述天線陣列包括部分延伸到所述等離子體腔室中的多個單極天線，其中所述多個單極天線延伸穿過所述腔室主體的板部分并且穿過所述板部分延伸到所述等離子體腔室中，所述板部分提供所述等離子體腔室的頂板，其中所述多個單極天線中的每一單極天線被絕緣護(hù)套圍繞，所述絕緣護(hù)套從所述腔室主體的所述板部分延伸至所述單極天線的尖端以覆蓋包括所述單極天線的所述尖端的端部；和

AC功率源，所述AC功率源用于將第一AC功率供應(yīng)到所述多個單極天線。

2.如權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)器，其中所述多個單極天線平行地延伸到所述等離子體腔室中。

3.如權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)器，其中所述多個單極天線中的至少一個單極天線包括延伸到所述等離子體腔室中的錐形端部，并且其中所述錐形端部為圓錐形。

4.如權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)器，其中所述板部分為導(dǎo)電的，并且所述絕緣護(hù)套被配置為使所述單極天線與所述板部分絕緣。

5.如權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)器，其中所述多個單極天線穿過所述板部分延伸到所述腔室中的相等距離，或者其中所述多個單極天線的至少一些比所述多個單極天線的其他單極天線進(jìn)一步延伸到腔室中。

6.如權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)器，其中所述單極天線跨越所述板部分均勻地間隔開。

7.如權(quán)利要求1-6中任一項所述的等離子體反應(yīng)器，包括多個微波或RF透明窗口護(hù)套，每一窗口護(hù)套圍繞單極天線的突出到所述等離子體腔室中的一部分。

8.如權(quán)利要求1-6中任一項所述的等離子體反應(yīng)器，其中所述工件支撐件被配置成保持所述工件，使得所述工件的前表面面向所述天線陣列并且使得所述工件的前表面垂直于所述多個單極天線的長軸。

9.如權(quán)利要求8所述的等離子體反應(yīng)器，其中所述多個單極天線面向所述工件支撐件而沒有中間阻擋物。

10.如權(quán)利要求1-6中任一項所述的等離子體反應(yīng)器，其中所述AC功率源被配置成將微波功率施加至所述多個單極天線，以在所述等離子體腔室中產(chǎn)生等離子體。

11.一種等離子體處理工件的方法，包括以下步驟：

在等離子體腔室中支撐工件；

將處理氣體輸送到所述等離子體腔室；和

通過將AC功率施加至天線陣列而在所述腔室中產(chǎn)生等離子體，所述天線陣列包括部分延伸到所述等離子體腔室中的多個單極天線，其中所述多個單極天線延伸穿過所述腔室主體的板部分并且穿過所述板部分延伸到所述等離子體腔室中，所述板部分提供所述等離子體腔室的頂板，其中所述多個單極天線中的每一單極天線被絕緣護(hù)套圍繞，所述絕緣護(hù)套從腔室主體的所述板部分延伸至所述單極天線的尖端以覆蓋包括所述單極天線的所述尖端的端部，并且其中所述多個單極天線中的至少一個單極天線包括延伸到所述等離子體腔室中的錐形端部。