[發(fā)明專利]產(chǎn)生射頻調(diào)制的X射線放射的器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880034277.2 | 申請日: | 2018-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN110945620B | 公開(公告)日: | 2022-11-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 布賴恩·岡薩雷斯;羅伯特·C·希伊 | 申請(專利權(quán))人: | 微-X有限公司 |
| 主分類號: | H01J35/02 | 分類號: | H01J35/02;H01J35/06;H05G1/02;H05G1/08;H05G1/10 |
| 代理公司: | 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 李鑫 |
| 地址: | 澳大利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 產(chǎn)生 射頻 調(diào)制 射線 放射 器件 | ||
描述了一種用于產(chǎn)生受控的射頻(RF)調(diào)制的X射線放射的器件和方法。該器件包括容納于真空罩內(nèi)的陽極,該陽極用來加速并將電子束轉(zhuǎn)換為X射線放射。RF罩位于真空罩內(nèi),且內(nèi)含一個(gè)場致發(fā)射器件,比如碳納米管場致發(fā)射器件或類似的冷陰極場致發(fā)射器件。場致發(fā)射器件被施加偏壓以經(jīng)由RF罩中的引出電極從場致發(fā)射陰極向陽極發(fā)射電子束。另外,RF阻抗匹配和耦合電路與場致發(fā)射器件電連接。由此,利用RF信號直接驅(qū)動(dòng)場致發(fā)射器件以產(chǎn)生RF調(diào)制的電子電流,從而產(chǎn)生RF調(diào)制的X射線放射。
優(yōu)先權(quán)文件
本申請要求2017年5月25日提交的發(fā)明名稱為“用于產(chǎn)生射頻調(diào)制的X射線放射的器件”的澳大利亞臨時(shí)專利申請第2017901986號的優(yōu)先權(quán),其全部內(nèi)容通過引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明一般地涉及用于產(chǎn)生X射線放射的器件,尤其涉及使用帶有場致發(fā)射陰極源的真空管來產(chǎn)生射頻調(diào)制的X射線放射的器件。本發(fā)明適合用于將碳納米管用作場致發(fā)射陰極源的器件,而且結(jié)合該示例性但非限制性的應(yīng)用來描述本發(fā)明會(huì)比較方便。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的X射線放射源使用來自被加熱陰極的熱電子發(fā)射,該熱電子發(fā)射要么直接從燈絲發(fā)出,要么從被燈絲加熱的陰極電極發(fā)出。這些器件釋放電子通量,該電子通量是陰極源溫度和在陰極附近出現(xiàn)的施加電場的函數(shù),該電場是從真空管中的陽極和其他電極(比如聚焦電極和柵電極)施加的。這些源的局限性在于,作為基線陰極發(fā)射機(jī)制的結(jié)果,它們具有相對較低的帶寬頻率響應(yīng)。
對陰極-柵電壓的調(diào)制產(chǎn)生電子束電流的相應(yīng)調(diào)制,但是對于最小電流來說,無畸變的振幅幅度受限于使電子離開陰極的最小電場,而對于最大陰極電流來說,無畸變的振幅幅度受限于陰極的溫度。以更高的溫度操作燈絲或陰極以實(shí)現(xiàn)更高的最大電子通量導(dǎo)致燈絲壽命的急劇下降。為了增加振幅幅度的等級和最大調(diào)制頻率而又不犧牲燈絲壽命,理想地,陰極基線發(fā)射必須服從需要。這在高頻下對于熱離子源是不可能的,因?yàn)闊艚z塊的熱時(shí)間滯后。
在使用真空管的射頻(RF)功率放大器領(lǐng)域,有很多技術(shù)可用于增加特定設(shè)計(jì)的最大可用放大頻率。對于UHF波段,一旦電子束已經(jīng)形成并使用螺旋耦合/去耦系統(tǒng)正在從陽極中的束孔向捕獲電極飛行時(shí),行波管依賴于對電子束進(jìn)行調(diào)制。電子的聚束以及與螺旋磁場的相互作用在輸出端產(chǎn)生電壓增益和RF功率增益。來自原始電子源的大量電能作為熱量浪費(fèi)在捕獲電極上。
在使用真空管的VHF功率放大器的情況下,管設(shè)計(jì)中的一個(gè)重要因素是減小陰極-柵電容和陰極-陽極電容。這些管放大器依靠外部電子電路將調(diào)制后的電子束電流轉(zhuǎn)換為射頻電壓,電壓的幅度主要受限于外部源以及真空管的跨導(dǎo)曲線。然后通過阻抗匹配電路轉(zhuǎn)換RF電壓,以與想要的負(fù)載(例如,天線或RF焊接頭)一起使用。
在現(xiàn)有的熱電子或“熱”X射線放射源中,金屬絲陰極被加熱到產(chǎn)生電子,電子隨后被朝著陽極加速以產(chǎn)生X射線。可以替代熱電子源的是場致發(fā)射源或“冷”源。在場致發(fā)射管中,通過稱為量子隧穿的過程從物體的尖端引出電子。然后,這些電子朝著陽極加速以產(chǎn)生X射線。場致發(fā)射電子源具有優(yōu)于現(xiàn)有熱電子源的三個(gè)主要優(yōu)點(diǎn),即,它們在室溫下工作,它們可以被電子控制,以及它們具有瞬時(shí)響應(yīng)。場致發(fā)射源的主要問題是管的壽命和最大功率。
最近,已經(jīng)開發(fā)出碳納米管(CNT)用作這些X射線源中的場致發(fā)射器。由于其縱橫比、熱穩(wěn)定性和導(dǎo)電穩(wěn)定性高,CNT成為理想的場致發(fā)射器。基于CNT的多束X射線管在斷層成像系統(tǒng)中的最近應(yīng)用已證明了圖像質(zhì)量顯著提高,且系統(tǒng)設(shè)計(jì)的靈活性增加。
CNT多束管在單個(gè)真空管內(nèi)產(chǎn)生可單獨(dú)控制的X射線焦點(diǎn)的空間分布陣列。通過順序掃描每個(gè)焦點(diǎn),可以在不移動(dòng)光源的情況下獲取被成像物體的斷層掃描。在不移動(dòng)X射線源的情況下生成斷層掃描消除移動(dòng)引起的模糊,從而提高重建圖像的分辨率。與X射線源的物理旋轉(zhuǎn)相比,多束管中X射線焦點(diǎn)的空間分布確定斷層掃描的幾何形狀。
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