[發(fā)明專(zhuān)利]器件解析裝置及器件解析方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880034008.6
• 申請(qǐng)日: 2018-04-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110662973B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 松本徹;遠(yuǎn)藤幸一;中村共則;越川一成
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 浜松光子學(xué)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): G01R31/26
• 分類(lèi)號(hào): G01R31/26;G01R31/00;H01L21/66
• 代理公司: 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦

1.一種器件解析裝置，其特征在于，

是執(zhí)行功率半導(dǎo)體器件的好壞判別的器件解析裝置，

具備：

施加部，其對(duì)所述功率半導(dǎo)體器件施加電壓信號(hào)；

光檢測(cè)部，其在多個(gè)檢測(cè)位置上檢測(cè)來(lái)自所述功率半導(dǎo)體器件的光，并輸出基于檢測(cè)結(jié)果的檢測(cè)信號(hào)；

判別部，其基于所述檢測(cè)信號(hào)的時(shí)間變化，判別所述功率半導(dǎo)體器件的好壞；及

比較部，其對(duì)所述檢測(cè)信號(hào)的時(shí)間變化彼此予以比較，

所述判別部基于所述比較部中的比較結(jié)果，判別所述功率半導(dǎo)體器件的好壞，

從所述施加部施加到所述功率半導(dǎo)體器件的電壓信號(hào)是被調(diào)制為脈沖狀的電壓信號(hào)。

2.如權(quán)利要求1所述的器件解析裝置，其特征在于，

還具備將所述檢測(cè)信號(hào)的時(shí)間變化與預(yù)先設(shè)定的閾值予以比較的比較部，

所述判別部基于所述比較部中的比較結(jié)果，判別所述功率半導(dǎo)體器件的好壞。

3.如權(quán)利要求1所述的器件解析裝置，其特征在于，

所述光檢測(cè)部在包含所述功率半導(dǎo)體器件的周邊部的多個(gè)檢測(cè)位置上檢測(cè)來(lái)自所述功率半導(dǎo)體器件的光。

4.如權(quán)利要求2所述的器件解析裝置，其特征在于，

所述光檢測(cè)部在包含所述功率半導(dǎo)體器件的周邊部的多個(gè)檢測(cè)位置上檢測(cè)來(lái)自所述功率半導(dǎo)體器件的光。

5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的器件解析裝置，其特征在于，

所述光檢測(cè)部在所述多個(gè)檢測(cè)位置上同時(shí)地檢測(cè)來(lái)自所述功率半導(dǎo)體器件的光。

6.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的器件解析裝置，其特征在于，

所述光檢測(cè)部在所述多個(gè)檢測(cè)位置上個(gè)別地檢測(cè)來(lái)自所述功率半導(dǎo)體器件的光。

7.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的器件解析裝置，其特征在于，

所述施加部對(duì)所述功率半導(dǎo)體器件施加使雪崩擊穿產(chǎn)生的電壓信號(hào)。

8.如權(quán)利要求5所述的器件解析裝置，其特征在于，

所述施加部對(duì)所述功率半導(dǎo)體器件施加使雪崩擊穿產(chǎn)生的電壓信號(hào)。

9.如權(quán)利要求6所述的器件解析裝置，其特征在于，

所述施加部對(duì)所述功率半導(dǎo)體器件施加使雪崩擊穿產(chǎn)生的電壓信號(hào)。

10.如權(quán)利要求7所述的器件解析裝置，其特征在于，

所述光檢測(cè)部檢測(cè)起因于所述雪崩擊穿而在所述功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)生的發(fā)光。

11.如權(quán)利要求8所述的器件解析裝置，其特征在于，

所述光檢測(cè)部檢測(cè)起因于所述雪崩擊穿而在所述功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)生的發(fā)光。

12.如權(quán)利要求9所述的器件解析裝置，其特征在于，

所述光檢測(cè)部檢測(cè)起因于所述雪崩擊穿而在所述功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)生的發(fā)光。

13.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的器件解析裝置，其特征在于，

所述光檢測(cè)部的時(shí)間分辨率為1μs以下。

14.如權(quán)利要求5所述的器件解析裝置，其特征在于，

所述光檢測(cè)部的時(shí)間分辨率為1μs以下。

15.如權(quán)利要求6所述的器件解析裝置，其特征在于，

所述光檢測(cè)部的時(shí)間分辨率為1μs以下。

16.如權(quán)利要求7所述的器件解析裝置，其特征在于，

所述光檢測(cè)部的時(shí)間分辨率為1μs以下。

17.如權(quán)利要求8所述的器件解析裝置，其特征在于，

所述光檢測(cè)部的時(shí)間分辨率為1μs以下。