[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880033268.1
• 申請(qǐng)日: 2018-05-17
• 公開（公告）號(hào): CN110651368B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·B·法爾梅爾;唐建石;J·J·尤爾卡斯;漢述仁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司
• 主分類號(hào): H01L29/772
• 分類號(hào): H01L29/772
• 代理公司: 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 邊海梅

1.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括：

在用作柵極的導(dǎo)電襯底表面上形成介電層；

在所述介電層上形成碳納米管；

在所述碳納米管上形成絕緣層，所述絕緣層不作為柵極電介質(zhì)；

在所述絕緣層中形成源極溝槽和漏極溝槽以暴露所述碳納米管的端部；

在所述絕緣層中的源極溝槽和漏極溝槽中在所述碳納米管的端部上形成低功函數(shù)金屬；

在所述低功函數(shù)金屬和所述碳納米管之間形成潤(rùn)濕層；以及

在所述低功函數(shù)金屬上形成覆蓋層。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述導(dǎo)電襯底包括摻雜的硅或金屬。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述絕緣層包括氮化硅。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述低功函數(shù)金屬包括鈧。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述低功函數(shù)金屬還包括約10nm至約50nm的厚度。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述潤(rùn)濕層包含鈦。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述潤(rùn)濕層還包括約0.1nm至約1nm的厚度。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述介電層包括二氧化硅。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述覆蓋層包含金。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述覆蓋層還包括約10nm至約50nm的厚度。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述潤(rùn)濕層包含鈦，所述低功函數(shù)金屬包括鈧，并且所述覆蓋層包含金。

12.一種半導(dǎo)體器件，包括：

在用作柵極的導(dǎo)電襯底表面上的介電層；

在所述介電層表面上的碳納米管；

在所述碳納米管的部分上圖案化的絕緣層，所述圖案化的絕緣層中具有使得所述碳納米管的端部未被所述圖案化的絕緣層覆蓋的源極溝槽和漏極溝槽，所述絕緣層不作為柵極電介質(zhì)；

在所述源極溝槽和漏極溝槽中在所述碳納米管端部上的低功函數(shù)金屬；

所述低功函數(shù)金屬和所述碳納米管之間的潤(rùn)濕層；以及

所述低功函金屬上的覆蓋層。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述潤(rùn)濕層包括鈦。

14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中所述潤(rùn)濕層還包括約0.1nm至約1nm的厚度。

15.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述導(dǎo)電襯底包括摻雜的硅或金屬。

16.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述絕緣層包括氮化硅。

17.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述低功函數(shù)金屬包括鈧。

18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其中所述低功函數(shù)金屬還包括約10nm至約50nm的厚度。

19.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述介電層包括二氧化硅。

20.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述覆蓋層包含金。

21.如權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體器件，其中所述覆蓋層還包括約10nm至約50nm的厚度。

22.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述潤(rùn)濕層包含鈦，所述低功函數(shù)金屬包括鈧，并且所述覆蓋層包含金。