[發明專利]半導體裝置、顯示裝置以及半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201880033195.6
• 申請日: 2018-05-07
• 公開（公告）號: CN110651358A
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發明（設計）人: 山崎舜平;肥塚純一;神長正美;中澤安孝;生內俊光
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/822;H01L27/04;H01L27/32;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/10;H05B33/14
• 代理公司: 72001 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 何欣亭;申屠偉進

1.一種半導體裝置的制造方法，包括如下步驟：

在一個表面上形成第一金屬氧化物層及第二金屬氧化物層；

形成所述第一金屬氧化物層的第一區域上的第一絕緣層以及所述第一絕緣層上的第一導電層；

形成與所述第一金屬氧化物層的第二區域及所述第二金屬氧化物層接觸的第一層；

進行加熱處理以降低所述第一金屬氧化物層的所述第二區域的電阻以及所述第二金屬氧化物層的電阻；

以覆蓋所述第一金屬氧化物層、所述第二金屬氧化物層、所述第一絕緣層以及所述第一導電層的方式形成第二絕緣層；以及

在所述第二絕緣層上形成與所述第二區域電連接的第二導電層，

其中，所述第一層包含鋁、鈦、鉭和鎢中的至少一種。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，還包括如下步驟：在進行所述加熱處理的所述工序之后且形成所述第二絕緣層的所述工序之前去除所述第一層。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其中所述第二導電層重疊于所述第二金屬氧化物層。

4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，還包括如下步驟：

在一個表面上形成第三導電層及第四導電層；以及

以覆蓋所述第三導電層及所述第四導電層的方式形成第三絕緣層，

其中所述第一金屬氧化物層及所述第二金屬氧化物層形成在所述第三絕緣層上，

所述第一金屬氧化物層的所述第一區域重疊于所述第三導電層，

并且所述第二金屬氧化物層至少部分地重疊于所述第四導電層。

5.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其中通過濺射法形成所述第一層以使其包含氮。

6.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其中所述加熱處理在包含氮的氣氛下以300℃以上且450℃以下的溫度進行。

7.一種半導體裝置，包括：

一個表面上的第一金屬氧化物層及第二金屬氧化物層；

層疊于所述第一金屬氧化物層的第一區域上的第一絕緣層及第一導電層；

在所述第一金屬氧化物層的第二區域以及所述第二金屬氧化物層上且與它們接觸的第一層；

覆蓋所述第一金屬氧化物層、所述第二金屬氧化物層、所述第一絕緣層及所述第一導電層的第二絕緣層；以及

所述第二絕緣層上的第二導電層，該第二導電層與所述第二區域電連接，

其中，所述第一層包含鋁、鈦、鉭和鎢中的至少一種，

并且，所述第二區域具有比所述第一區域低的電阻。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中所述第二導電層部分地重疊于所述第一絕緣層、所述第一層及所述第二金屬氧化物層。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置，還包括：

所述第一金屬氧化物層及所述第二金屬氧化物層之下的第三導電層及第四導電層；以及

覆蓋所述第三導電層及所述第四導電層且位于所述第一金屬氧化物層及所述第二金屬氧化物層之下的第三絕緣層，

其中所述第三導電層部分地與所述第一區域重疊，

并且所述第四導電層部分地與所述第二金屬氧化物層重疊。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中所述第二區域通過所述第二導電層與所述第二金屬氧化物層電連接。

11.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中所述第一區域與所述第二金屬氧化物層無接縫地連續。

12.根據權利要求7所述的半導體裝置，還包括所述第一金屬氧化物層與所述第一絕緣層之間的第三金屬氧化物層，

其中所述第三金屬氧化物層包含In、Ga及Zn且具有比Ga含量高的In含量。