[發明專利]光刻用膜形成材料、光刻用膜形成用組合物、光刻用下層膜及圖案形成方法

在審

• 申請號: 201880032121.0
• 申請日: 2018-05-14
• 公開（公告）號: CN110637256A
• 公開（公告）日: 2019-12-31
• 發明（設計）人: 岡田佳奈;堀內淳矢;牧野島高史;越后雅敏
• 申請（專利權）人: 三菱瓦斯化學株式會社
• 主分類號: G03F7/11
• 分類號: G03F7/11;C08F22/40;C08L101/02;G03F7/20;G03F7/26
• 代理公司: 11277 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種光刻用膜形成材料，其包含具有下述式(0)的基團的化合物，

式(0)中，R各自獨立地選自由氫原子及碳數1～4的烷基組成的組。

2.根據權利要求1所述的光刻用膜形成材料，其中，具有所述式(0)的基團的化合物為選自由聚馬來酰亞胺化合物及馬來酰亞胺樹脂組成的組中的至少1種。

3.根據權利要求1或2所述的光刻用膜形成材料，其中，具有所述式(0)的基團的化合物為選自由雙馬來酰亞胺化合物及加成聚合型馬來酰亞胺樹脂組成的組中的至少1種。

4.根據權利要求3所述的光刻用膜形成材料，其中，所述雙馬來酰亞胺化合物由下述式(1)表示，

式(1)中，Z為任選包含雜原子的碳數1～100的2價烴基。

5.根據權利要求3或4所述的光刻用膜形成材料，其中，所述雙馬來酰亞胺化合物由下述式(1A)表示，

式(1A)中，

X各自獨立地為單鍵、-O-、-CH₂-、-C(CH₃)₂-、-CO-、-C(CF₃)₂-、-CONH-或-COO-，

A為單鍵、氧原子、或任選包含雜原子的碳數1～80的2價烴基，

R₁各自獨立地為任選包含雜原子的碳數0～30的基團，

m1各自獨立地為0～4的整數。

6.根據權利要求3～5中任一項所述的光刻用膜形成材料，其中，所述雙馬來酰亞胺化合物由下述式(1A)表示，

式(1A)中，

X各自獨立地為單鍵、-O-、-CH₂-、-C(CH₃)₂-、-CO-、-C(CF₃)₂-、CONH-或-COO-，

A為單鍵、氧原子、-(CH₂)_n-、-CH₂C(CH₃)₂CH₂-、-(C(CH₃)₂)_n-、-(O(CH₂)_m2)_n-、-(О(C₆H₄))_n-、或以下的結構中的任意者，

Y為單鍵、-O-、-CH₂-、-C(CH₃)₂-、-C(CF₃)₂-、

R₁各自獨立地為任選包含雜原子的碳數0～30的基團，

n為0～20的整數，

m1及m2各自獨立地為0～4的整數。

7.根據權利要求3～6中任一項所述的光刻用膜形成材料，其中，所述加成聚合型馬來酰亞胺樹脂由下述式(2)或下述式(3)表示，

式(2)中，

R₂各自獨立地為任選包含雜原子的碳數0～10的基團，

m2各自獨立地為0～3的整數，

m2’各自獨立地為0～4的整數，

n為1～4的整數，

式(3)中，

R₃及R₄各自獨立地為任選包含雜原子的碳數0～10的基團，

m3各自獨立地為0～4的整數，

m4各自獨立地為0～4的整數，

n為1～4的整數。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的光刻用膜形成材料，其中，還含有交聯劑。