[發明專利]半導體燒結體、電氣電子部件及半導體燒結體的制造方法

在審

• 申請號: 201880031803.X
• 申請日: 2018-05-17
• 公開（公告）號: CN110622328A
• 公開（公告）日: 2019-12-27
• 發明（設計）人: 貞賴直樹
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L35/14
• 分類號: H01L35/14;B82Y30/00;H01L35/34
• 代理公司: 11256 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 楊宏軍

1.一種半導體燒結體，包括多晶體，

所述多晶體包括硅化鎂、或含有硅化鎂的合金，

構成所述多晶體的晶粒的平均粒徑為1μm以下，

所述半導體燒結體的電導率為10,000S/m以上。

2.根據權利要求1所述的半導體燒結體，其中，所述半導體燒結體含有選自磷、鋁、砷、銻、鉍的一種以上的摻雜物。

3.根據權利要求1所述的半導體燒結體，其中，所述半導體燒結體含有選自鋰、硼、鋁、鎵、銦、鉈的一種以上的摻雜物。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體燒結體，其中，所述半導體燒結體的塞貝克系數為-150～50μV/K。

5.一種電氣電子部件，包括根據權利要求1至4中任一項所述的半導體燒結體。

6.一種半導體燒結體的制造方法，包括：

準備包括硅化鎂或含有硅化鎂的合金、并且平均粒徑為1μm以下的顆粒的顆粒準備步驟；

在所述顆粒的表面形成包括摻雜物元素的有機化合物的皮膜的皮膜形成步驟；以及

對在表面形成有所述皮膜的顆粒進行燒結，以獲得半導體燒結體的燒結步驟。

7.根據權利要求6所述的半導體燒結體的制造方法，其中，所述摻雜物元素包括選自磷、砷、銻、鉍的一種以上。

8.根據權利要求6所述的半導體燒結體的制造方法，其中，所述摻雜物元素包括選自硼、鋁、鎵、銦、鉈的一種以上。

9.根據權利要求6至8中任一項所述的半導體燒結體的制造方法，其中，以600℃以上的溫度進行所述燒結步驟。

10.根據權利要求6至9中任一項所述的半導體燒結體的制造方法，其中，所述燒結步驟包括進行放電等離子燒結。