[發明專利]半導體燒結體、電氣電子部件及半導體燒結體的制造方法

在審

• 申請號: 201880031777.0
• 申請日: 2018-05-17
• 公開（公告）號: CN110622326A
• 公開（公告）日: 2019-12-27
• 發明（設計）人: 貞賴直樹
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L35/14
• 分類號: H01L35/14;B82Y30/00;H01L35/34
• 代理公司: 11256 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 楊宏軍

1.一種半導體燒結體，包括多晶體，

所述多晶體包括硅或硅合金，

構成所述多晶體的晶粒的平均粒徑為1μm以下，

在所述晶粒的晶界存在包括硅的碳化物、氮化物、氧化物的一種以上的納米顆粒。

2.根據權利要求1所述的半導體燒結體，其中，所述納米顆粒的平均粒徑為10～50nm。

3.根據權利要求1或2所述的半導體燒結體，其中，所述半導體燒結體含有選自磷、砷、銻、鉍的一種以上的摻雜物。

4.根據權利要求1或2所述的半導體燒結體，其中，所述半導體燒結體含有選自硼、鋁、鎵、銦、鉈的一種以上的摻雜物。

5.根據權利要求3或4所述的半導體燒結體，其中，所述半導體燒結體的電導率為100,000S/m以上。

6.根據權利要求3至5中任一項所述的半導體燒結體，其中，所述半導體燒結體的塞貝克系數為-150～50μV/K。

7.一種電氣電子部件，包括根據權利要求1至6中任一項所述的半導體燒結體。

8.一種半導體燒結體的制造方法，包括：

準備包括硅或硅合金、并且平均粒徑小于1μm的顆粒的步驟；

在所述顆粒的表面形成包括芳香族化合物的皮膜的皮膜形成步驟；以及

對在表面形成有所述皮膜的顆粒進行燒結，以獲得半導體燒結體的燒結步驟。

9.根據權利要求8所述的半導體燒結體的制造方法，其中，所述芳香族化合物具有包含或不包含選自氧原子、硫原子、氮原子的雜原子的1～6個芳香環。

10.根據權利要求8或9所述的半導體燒結體的制造方法，其包括：

添加包括選自磷、砷、銻、鉍的一種以上的摻雜物的摻雜物添加步驟。

11.根據權利要求8或9所述的半導體燒結體的制造方法，其包括：

添加包括選自硼、鋁、鎵、銦、鉈的一種以上的摻雜物的摻雜物添加步驟。

12.根據權利要求8至11中任一項所述的半導體燒結體的制造方法，其中，以900℃以上進行所述燒結步驟。

13.根據權利要求8至12中任一項所述的半導體燒結體的制造方法，其中，所述燒結步驟包括進行放電等離子燒結。