[發明專利]半導體裝置布局及其形成方法

在審

• 申請號: 201880031714.5
• 申請日: 2018-05-14
• 公開（公告）號: CN110651369A
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發明（設計）人: 彼得·阿爾默恩·洛斯;亞歷山大·博洛特尼科夫;斯泰西·喬伊·肯納利;詹姆斯·威廉姆·克雷奇默
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/04;H01L21/768;H01L29/423;H01L29/739
• 代理公司: 11240 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 王紅艷

1.一種半導體裝置，包括：

半導體裝置層，所述半導體裝置層具有形成在所述半導體裝置層中的源極區和重摻雜本體區；

柵極介電層，所述柵極介電層設置在所述半導體裝置層和柵極電極之間；

介電層，所述介電層設置在所述柵極電極上方；以及

柵極疊層，所述柵極疊層包括所述柵極介電層的一部分和所述柵極電極的一部分，其中，所述柵極疊層鄰近源極區形成，并且其中，所述柵極疊層未鄰近所述重摻雜本體區形成。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述重摻雜本體區包括p+本體區。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述重摻雜本體區包括高度補償的p+本體區。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括形成在所述半導體裝置層中的阱區，其中，所述源極區和所述阱區在橫向上鄰近所述重摻雜本體區。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，所述源極區和所述阱區鄰近所述柵極疊層并且在所述柵極疊層下方。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述柵極介電層的厚度在大致30nm至80nm的范圍內。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括場氧化物層，所述場氧化物層鄰近所述重摻雜本體區并且在所述重摻雜本體區的頂部，以及在柵極金屬層下方并且鄰近所述柵極金屬層形成。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，所述場氧化物層的厚度在大致0.5μm至1μm的范圍內。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括鄰近所述重摻雜本體區并且在所述重摻雜本體區的頂部形成的本體接觸件。

10.一種半導體裝置，包括：

半導體裝置層；

本體區，所述本體區形成在所述半導體裝置層中；以及

介電層，所述介電層設置在所述半導體層和柵極電極之間，其中，設置在所述本體區上方的所述介電層的一部分的厚度大于約0.5μm。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，還包括：

阱區，所述阱區在所述半導體裝置層中形成；

源極區，所述源極區在所述半導體裝置層中并且鄰近所述阱區形成；

柵極介電層，所述柵極介電層鄰近所述源極區形成，其中，所述柵極介電層未鄰近所述本體區形成；

其中，所述介電層鄰近所述柵極介電層、所述本體區以及所述源極區中的每一個。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，還包括在所述場氧化物層和所述柵極介電層中的每一個的頂部上并且鄰近所述場氧化物層和所述柵極介電層中的每一個形成的柵極金屬層。

13.根據權利要求10所述的半導體裝置，還包括在所述本體區的頂部并且鄰近所述本體區形成的源極接觸件。

14.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，所述源極區包括具有第一摻雜濃度的第一導電類型，并且其中，所述本體區的頂部包括具有第二摻雜濃度的第二導電類型，其中，所述第一導電類型與所述第二導電類型不同，并且其中，所述第一摻雜濃度與所述第二摻雜濃度不同。

15.根據權利要求14所述的半導體裝置，其中，所述第一導電類型是n+，并且其中，所述第二導電類型是p+。

16.根據權利要求14所述的半導體裝置，其中，所述第一摻雜濃度低于所述第二摻雜濃度。